| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·纳米材料的概念和性质 | 第10-12页 |
| ·纳米材料的概念 | 第10页 |
| ·纳米材料的性能 | 第10-12页 |
| ·半导体及纳米半导体概述 | 第12-15页 |
| ·半导体材料的概念及分类 | 第12-13页 |
| ·纳米半导体的概念及特性 | 第13-15页 |
| ·纳米材料的制备及生长机理 | 第15-17页 |
| ·VLS(Vapor-Liquid. Solid)机制 | 第15-16页 |
| ·VS(Vapor-Solid)机制 | 第16-17页 |
| ·OAG(Oxide Assisted Growth)机制 | 第17页 |
| ·固—液—固(SLS)模型 | 第17页 |
| ·纳米半导体材料的应用 | 第17-18页 |
| ·CdS纳米材料的应用 | 第18-19页 |
| ·光催化 | 第18页 |
| ·太阳能电池 | 第18页 |
| ·发光材料 | 第18-19页 |
| ·电子器件 | 第19页 |
| ·CdS掺杂的研究进展 | 第19页 |
| ·直接掺杂 | 第19页 |
| ·间接掺杂 | 第19页 |
| ·本文的研究动机和主要内容 | 第19-21页 |
| 第2章 实验装置及检测仪器 | 第21-30页 |
| ·实验装置 | 第21页 |
| ·测试仪器及原理 | 第21-30页 |
| ·X射线衍射(XRD)仪 | 第21-23页 |
| ·场发射扫描电子显镜(FESEM) | 第23页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第23页 |
| ·紫外可见吸收光谱(Uv-Vis)仪 | 第23-24页 |
| ·近场扫描光学显微镜(NSOM) | 第24-25页 |
| ·表面光电压谱技术 | 第25-30页 |
| 第3章 CdS纳米带的合成和光电性能研究 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·实验部分 | 第31页 |
| ·CdS纳米带的形貌表征及生长机理 | 第31-33页 |
| ·CdS纳米带的光学性质 | 第33-35页 |
| ·紫外可见吸收光谱分析 | 第33-34页 |
| ·发光光谱分析 | 第34-35页 |
| ·表面光电压谱分析 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 CdSSe合金纳米带的光电性质 | 第39-50页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·CdSSe纳米材料的结构表征 | 第40-42页 |
| ·CdSSe的光学性能 | 第42-46页 |
| ·CdSSe的光波导及光致发光 | 第42-45页 |
| ·CdSSe的紫外吸收 | 第45-46页 |
| ·CdSSe的表面光电压谱分析 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 结论及展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 致谢 | 第58页 |