| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 忆阻器的概况 | 第13-17页 |
| 1.2.1 忆阻器的材料体系 | 第13-15页 |
| 1.2.2 忆阻器的机理探讨 | 第15-17页 |
| 1.3 常用忆阻器的制备方法 | 第17-18页 |
| 1.4 ZnO基忆阻器的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.5 溶液法制备忆阻器的背景和研究现状 | 第20-21页 |
| 1.6 本文的研究意义和主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验方法与表征技术 | 第23-32页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 薄膜制备技术 | 第23-27页 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶旋涂法 | 第23-24页 |
| 2.2.2 真空抽滤法 | 第24-25页 |
| 2.2.3 退火处理 | 第25-27页 |
| 2.3 薄膜表征及器件测试设备 | 第27-31页 |
| 2.3.1 光谱型椭偏仪 | 第27-28页 |
| 2.3.2 霍尔效应测试仪 | 第28页 |
| 2.3.3 X射线衍射仪 | 第28-29页 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜 | 第29-30页 |
| 2.3.5 扫描探针显微镜 | 第30页 |
| 2.3.6 半导体参数测试仪 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 全溶液法制备AZO/ZnO/AZO忆阻器 | 第32-42页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 AZO电极的制备和表征 | 第32-37页 |
| 3.2.1 AZO前驱体的配制 | 第32-33页 |
| 3.2.2 溶胶-凝胶旋涂法制备AZO薄膜 | 第33-34页 |
| 3.2.3 AZO薄膜的性能优化 | 第34-37页 |
| 3.3 ZnO阻变层的制备 | 第37-38页 |
| 3.3.1 ZnO前驱体的配制 | 第37-38页 |
| 3.3.2 溶胶-凝胶旋涂法制备ZnO薄膜 | 第38页 |
| 3.4 全溶液法制备AZO/ZnO/AZO忆阻器的阻变特性 | 第38-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 全溶液法制备G/ZnO/AZO忆阻器 | 第42-61页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 石墨烯顶电极的制备 | 第42-44页 |
| 4.2.1 石墨烯分散液的配制 | 第42-43页 |
| 4.2.2 真空抽滤法制备石墨烯薄膜 | 第43-44页 |
| 4.3 ZnO阻变层的性能优化 | 第44-51页 |
| 4.3.1 退火条件对ZnO阻变性能的影响 | 第44-50页 |
| 4.3.2 溶胶浓度对ZnO阻变性能的影响 | 第50-51页 |
| 4.4 AZO底电极的优化 | 第51-54页 |
| 4.4.1 高温快速退火对AZO薄膜性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.4.2 前驱体中H~+掺杂对AZO薄膜性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.5 优化后全溶液法制备的G/ZnO/AZO忆阻器 | 第54-59页 |
| 4.5.1 G/ZnO/AZO忆阻器的阻变特性 | 第54-58页 |
| 4.5.2 G/ZnO/AZO忆阻器的透射率 | 第58-59页 |
| 4.6 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-64页 |
| 5.1 总结 | 第61-62页 |
| 5.2 展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-75页 |
| 附录 | 第75页 |
