| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.2 量子点材料的概述 | 第12-15页 |
| 1.3 1.3微米量子点激光器 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文结构 | 第16-18页 |
| 第二章 实验设备概述 | 第18-26页 |
| 2.1 分子束外延生长 | 第18-21页 |
| 2.2 Veeco Gen 930分子束外延设备介绍 | 第21-22页 |
| 2.3 反射式高能电子衍射仪 | 第22-23页 |
| 2.4 光致荧光谱 | 第23-26页 |
| 第三章 1.3微米InAs/GaAs量子的分子束外延生长 | 第26-46页 |
| 3.1 InAs/GaAs自组织生长机制 | 第26-28页 |
| 3.2 InAs/GaAs生长参数的影响 | 第28-41页 |
| 3.2.1 In的扩散和偏析 | 第28-29页 |
| 3.2.2 InAs量子点的生长温度 | 第29-32页 |
| 3.2.3 Ⅴ-Ⅲ比优化 | 第32-34页 |
| 3.2.4 退火条件 | 第34-38页 |
| 3.2.5 InAs淀积量 | 第38-41页 |
| 3.2.6 InxGa1-xAs盖层生长参数的影响 | 第41页 |
| 3.3 1.3微米量子点激光器有源区生长 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-46页 |
| 第四章 1.3微米量子点激光器的制作和测试 | 第46-62页 |
| 4.1 激光器结构的外延 | 第46-50页 |
| 4.1.1 激光器波导结构 | 第46-47页 |
| 4.1.2 有源区Be掺杂 | 第47-50页 |
| 4.2 1.3微米量子点激光器制作工艺 | 第50-51页 |
| 4.3 1.3微米量子点激光器的增益特性 | 第51-54页 |
| 4.3.1 量子点的能级填充 | 第52-53页 |
| 4.3.2 量子点激光器模式增益 | 第53-54页 |
| 4.4 1.3微米量子点激光器的P-I-V测试 | 第54-58页 |
| 4.4.1 有源区不掺杂激光器激射特性 | 第55页 |
| 4.4.2 有源区Be掺杂激光器激射特性 | 第55-58页 |
| 4.5 量子点激光器宽温工作特性 | 第58-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 总结 | 第62-63页 |
| 5.2 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第74-75页 |
