| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 论文研究背景及意义 | 第8页 |
| 1.2 倒装芯片互连技术研究现状 | 第8-12页 |
| 1.2.1 倒装芯片互连研究进展 | 第9-10页 |
| 1.2.2 倒装芯片常用互连方法 | 第10页 |
| 1.2.3 超声辅助倒装芯片互连研究 | 第10-12页 |
| 1.3 超声键合机理研究现状 | 第12-18页 |
| 1.3.1 熔化冶金结合机理 | 第13-15页 |
| 1.3.2 位错扩散互连机理 | 第15页 |
| 1.3.3 变形和机械结合机理 | 第15-18页 |
| 1.4 铜锡化合物生长形成机制研究现状 | 第18-21页 |
| 1.4.1 铜锡化合物生长机理 | 第18-20页 |
| 1.4.2 铋元素对铜锡化合物的生长影响 | 第20-21页 |
| 1.5 本文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 微球超声键合实验 | 第22-31页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 实验材料 | 第22页 |
| 2.3 搭建实验平台 | 第22-26页 |
| 2.3.1 超声键合系统工作原理 | 第24-25页 |
| 2.3.2 设计超声焊头 | 第25-26页 |
| 2.3.3 设计超声键合工作台（焊架） | 第26页 |
| 2.4 微球超声键合实验过程 | 第26-28页 |
| 2.5 微球超声键合中铜锡化合物分析方法及设备 | 第28-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 微球超声键合中界面初始铜锡化合物分析 | 第31-54页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 多晶焊盘上微球超声键合界面初始铜锡化合物分析 | 第31-39页 |
| 3.2.1 多晶铜界面化合物总体分布分析 | 第32-34页 |
| 3.2.2 多晶铜界面各个区域化合物形貌和成分分析 | 第34-39页 |
| 3.3 单晶焊盘上微球超声键合界面初始铜锡化合物分析 | 第39-53页 |
| 3.3.1 单晶铜界面化合物总体分布分析 | 第40-41页 |
| 3.3.2 单晶铜界面各个区域化合物形貌分析 | 第41-44页 |
| 3.3.3 单晶铜界面各区域化合物成分和种类的表征和半定量计算 | 第44-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第4章 铜锡化合物生长机理和可靠性分析 | 第54-65页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 蘸锡法界面原始铜锡化合物表征 | 第54-55页 |
| 4.3 微球超声键合初始铜锡化合物生长机理分析 | 第55-59页 |
| 4.4 界面化合物分布与工艺参数的关系 | 第59-62页 |
| 4.5 微球超声键合中铜锡化合物分布和连接强度分析 | 第62-63页 |
| 4.6 本章小结 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
