| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 铁电材料及铁电存储器概述 | 第9-14页 |
| 1.1.1 铁电材料及其基本性质 | 第9-10页 |
| 1.1.2 铁电存储器分类及优势 | 第10-13页 |
| 1.1.3 铁电存储器可靠性问题与铁电薄膜的失效 | 第13-14页 |
| 1.2 铁电存储器内漏电流产生机理 | 第14-16页 |
| 1.3 挠曲电效应与其发展历史及研究现状 | 第16-20页 |
| 1.4 本论文的选题依据、研究方法和主要内容 | 第20-22页 |
| 1.4.1 本论文的选题依据 | 第20页 |
| 1.4.2 本论文的主要内容 | 第20-22页 |
| 第2章 铁电薄膜漏电流-相场模型建立 | 第22-31页 |
| 2.1 考虑挠曲电效应及带电粒子漂移扩散的相场模型 | 第22-25页 |
| 2.2 本构方程及其弱形式 | 第25-26页 |
| 2.3 有限元离散 | 第26-27页 |
| 2.4 模型验证 | 第27-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 挠曲电效应对单畴铁电薄膜漏电流的影响 | 第31-46页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 挠曲电耦合效应对外延单畴铁电薄膜漏电流的影响 | 第31-37页 |
| 3.2.1 计算所涉及几何模型及边界条件 | 第31-32页 |
| 3.2.2 PZT材料参数 | 第32-33页 |
| 3.2.3 计算模拟 | 第33页 |
| 3.2.4 计算结果及讨论 | 第33-37页 |
| 3.3 挠曲电耦合效应对力作用下单畴铁电薄膜漏电流的影响 | 第37-45页 |
| 3.3.1 计算所涉及几何模型及边界条件 | 第37页 |
| 3.3.2 PZT材料参数 | 第37-38页 |
| 3.3.3 计算模拟 | 第38-39页 |
| 3.3.4 计算结果及讨论 | 第39-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 挠曲电效应对多畴铁电薄膜漏电流的影响 | 第46-57页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 模型建立 | 第46-48页 |
| 4.2.1 计算所涉及几何模型及边界条件 | 第46-47页 |
| 4.2.2 PZT材料参数 | 第47-48页 |
| 4.2.3 计算模拟 | 第48页 |
| 4.3 模拟结果与分析讨论 | 第48-55页 |
| 4.3.1 挠曲电效应耦合系数11f对多畴铁电薄膜漏电流的影响 | 第48-52页 |
| 4.3.2 挠曲电效应耦合系数12f对多畴铁电薄膜漏电流的影响 | 第52-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第5章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 论文总结 | 第57页 |
| 5.2 研究展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 个人简历与在学期间发表的学术论文 | 第66页 |
