| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 1 绪论 | 第12-24页 |
| ·过渡金属硅化物 | 第12-13页 |
| ·过渡金属硅化物的性质 | 第13-14页 |
| ·过渡金属硅化物的制备 | 第14-18页 |
| ·射频溅射法 | 第14-15页 |
| ·热蒸发法 | 第15页 |
| ·模板法 | 第15-17页 |
| ·电弧放电法 | 第17页 |
| ·金属有机化学气相沉积法 | 第17-18页 |
| ·过渡金属硅化物的应用 | 第18-22页 |
| ·电热元件方面的应用 | 第18页 |
| ·集成电路方面的应用 | 第18-20页 |
| ·高温抗氧化涂层方面的应用 | 第20页 |
| ·催化方面的潜在应用 | 第20-22页 |
| ·萘催化加氢反应 | 第22-23页 |
| ·选题意义及研究方法 | 第23-24页 |
| 2 金属有机化合物前体的合成 | 第24-29页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·实验部分 | 第24-26页 |
| ·前体合成 | 第24-26页 |
| ·前体表征 | 第26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-28页 |
| ·IR分析 | 第26页 |
| ·NMR分析 | 第26-28页 |
| ·元素分析 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 3 MOCVD法制备负载型CoSi催化新材料 | 第29-54页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·SiO_2负载CoSi催化剂的制备与萘加氢性能 | 第29-37页 |
| ·实验部分 | 第29-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| ·SBA-15负载CoSi催化剂的制备与萘加氢性能 | 第37-46页 |
| ·实验部分 | 第37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| ·CNTs和Al_2O_3负载CoSi催化剂的制备 | 第46-50页 |
| ·实验部分 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| ·载体对CoSi形成的影响 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 4 CoSi在SiO_2上MOCVD形成机理 | 第54-71页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·实验部分 | 第54-55页 |
| ·不同载气下CoSi的制备 | 第54-55页 |
| ·CoCl_2/SiO_2和CoSi/SiO_2表征 | 第55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-69页 |
| ·XRD分析 | 第56-57页 |
| ·TEM、HRTEM和EDX分析 | 第57-58页 |
| ·UV-vis分析 | 第58-59页 |
| ·TG/DTG分析 | 第59-60页 |
| ·原位FT-IR分析 | 第60-67页 |
| ·形成机理 | 第67-69页 |
| ·载气对CoSi/SiO_2形成的影响 | 第69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 创新点摘要 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
