| 摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 LED技术简介 | 第9-12页 |
| 1.2 Si衬底GaN基LED技术路线 | 第12-16页 |
| 1.2.1 Si衬底GaN薄膜外延生长 | 第12-14页 |
| 1.2.2 Si衬底GaN基LED研究进展 | 第14-15页 |
| 1.2.3 Si衬底GaN基LED所面临的挑战 | 第15-16页 |
| 1.3 p型欧姆接触 | 第16-27页 |
| 1.3.1 p型欧姆接触形成机理 | 第17-19页 |
| 1.3.2 欧姆接触载流子的输运方式 | 第19-21页 |
| 1.3.3 制备p型GaN欧姆接触材料的选择 | 第21-22页 |
| 1.3.4 制备p型GaN欧姆接触的注意事项 | 第22页 |
| 1.3.5 欧姆接触的测量方法 | 第22-25页 |
| 1.3.6 p型欧姆接触研究进展 | 第25-27页 |
| 1.4 本论文的研究内容和行文安排 | 第27-29页 |
| 第2章 Si(111)衬底切偏角对Ga N基LED外延膜的影响 | 第29-43页 |
| 2.1 引言 | 第29页 |
| 2.2 衬底切偏角的精确测量方法 | 第29-34页 |
| 2.2.1 实验原理 | 第30页 |
| 2.2.2 实验装置 | 第30-31页 |
| 2.2.3 实验步骤 | 第31-32页 |
| 2.2.4 衬底切偏角的计算 | 第32-34页 |
| 2.3 Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响 | 第34-42页 |
| 2.3.1 实验 | 第34-35页 |
| 2.3.2 结果与讨论 | 第35-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 Si基LED电老化过程VF2下降研究 | 第43-62页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 热效应对老化电压下降的影响 | 第44-47页 |
| 3.2.1 引言 | 第44-45页 |
| 3.2.2 实验 | 第45-46页 |
| 3.2.3 实验结果与讨论 | 第46-47页 |
| 3.2.4 小结 | 第47页 |
| 3.3 老化过程p型欧姆接触界面元素扩散情况 | 第47-56页 |
| 3.3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.3.2 用于SIMS分析的Si基LED芯片样品制备 | 第48-53页 |
| 3.3.3 实验 | 第53页 |
| 3.3.4 结果与讨论 | 第53-55页 |
| 3.3.5 小结 | 第55-56页 |
| 3.4 器件老化前后p-GaN中H浓度变化情况 | 第56-58页 |
| 3.4.1 引言 | 第56-57页 |
| 3.4.2 实验 | 第57页 |
| 3.4.3 实验结果与讨论 | 第57-58页 |
| 3.4.4 小结 | 第58页 |
| 3.5 Ni对老化电压下降的影响 | 第58-60页 |
| 3.5.1 引言 | 第58-59页 |
| 3.5.2 实验 | 第59页 |
| 3.5.3 结果与讨论 | 第59-60页 |
| 3.5.4 小结 | 第60页 |
| 3.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 第4章 总结 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第72页 |
