摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-26页 |
1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
1.2 3D打印技术的发展现状 | 第11-12页 |
1.3 陶瓷3D打印技术分类及工艺 | 第12-15页 |
1.3.1 直接打印技术(DIP) | 第12-14页 |
1.3.2 选择性激光烧结技术(SLS) | 第14页 |
1.3.3 熔融沉积技术(FDM) | 第14-15页 |
1.3.4 立体光刻技术(SLA) | 第15页 |
1.4 陶瓷3D打印技术原料类型 | 第15-22页 |
1.4.1 陶瓷粉体3D打印技术 | 第16-20页 |
1.4.2 陶瓷前驱体3D打印技术 | 第20-22页 |
1.5 前驱体裂解法制备SiO_C陶瓷 | 第22-25页 |
1.5.1 聚硅氧烷的交联与裂解 | 第22-23页 |
1.5.2 SiO_C陶瓷的结构与性能 | 第23-25页 |
1.6 本文的主要研究内容 | 第25-26页 |
第2章 试验材料及研究方法 | 第26-34页 |
2.1 试验材料 | 第26-27页 |
2.2 SiO_2-HPSO/DVB制备工艺 | 第27-28页 |
2.3 SiO_2-HPSO/DVB体系DIP成型工艺设计 | 第28-29页 |
2.3.1 AutoCAD建模软件及UPStudio打印控制软件 | 第28页 |
2.3.2 DIP成型设备 | 第28-29页 |
2.3.3 SiO_2-HPSO/DVB体系成型工艺设计 | 第29页 |
2.4 材料组织结构分析 | 第29-31页 |
2.4.1 体系流变学性能分析 | 第29页 |
2.4.2 傅里叶变换红外光谱分析 | 第29-30页 |
2.4.3 X射线衍射分析 | 第30页 |
2.4.4 X射线光电子能谱分析 | 第30页 |
2.4.5 显微组织形貌分析 | 第30-31页 |
2.4.6 热重分析 | 第31页 |
2.5 材料性能测试 | 第31-34页 |
2.5.1 陶瓷材料的密度测试 | 第31页 |
2.5.2 陶瓷材料的维氏硬度测试 | 第31-32页 |
2.5.3 陶瓷材料的抗压强度测试 | 第32页 |
2.5.4 陶瓷材料的抗弯强度测试 | 第32-34页 |
第3章 SIO2-HPSO/DVB体系DIP成型性分析 | 第34-47页 |
3.1 SiO_2填充量对SiO_2-HPSO/DVB体系流变学性能的影响 | 第34-35页 |
3.2 功能化模型设计与绘制 | 第35-36页 |
3.3 功能化模型DIP成型SiO_C陶瓷构件成型效果分析 | 第36-42页 |
3.3.1 DIP成型SiO_C陶瓷构件表观结构完整性 | 第36-40页 |
3.3.2 DIP成型SiO_C陶瓷墨水连接性 | 第40-42页 |
3.4 DIP成型工艺对SiO_C陶瓷构件线收缩率的影响 | 第42-46页 |
3.4.1 片层厚度对SiO_C陶瓷构件线收缩率的影响 | 第42-43页 |
3.4.2 裂解温度对SiO_C陶瓷构件线收缩率的影响 | 第43-44页 |
3.4.3 构件形状对SiO_C陶瓷构件线收缩率的影响 | 第44-46页 |
3.5 本章小结 | 第46-47页 |
第4章 SIOC陶瓷的微观组织结构 | 第47-59页 |
4.1 SiO_2-HPSO/DVB体系的交联固化 | 第47-48页 |
4.2 SiO_2-HPSO/DVB裂解SiO_C陶瓷的微观组织结构 | 第48-55页 |
4.2.1 SiO_2-HPSO/DVB裂解温度分析 | 第48-49页 |
4.2.2 SiO_2-HPSO/DVB裂解SiO_C陶瓷的结构分析 | 第49-53页 |
4.2.3 SiO_2-HPSO/DVB裂解SiO_C陶瓷的微观形貌分析 | 第53-55页 |
4.3 SiO_2-HPSO/DVB裂解SiO_C陶瓷的质量保留率 | 第55-57页 |
4.4 本章小结 | 第57-59页 |
第5章 DIP成型SIOC陶瓷的力学性能分析 | 第59-72页 |
5.1 裂解温度对SiO_C陶瓷力学性能的影响 | 第59-63页 |
5.2 模型结构对SiO_C陶瓷力学性能的影响 | 第63页 |
5.3 DIP成型工艺对SiO_C陶瓷力学性能的影响 | 第63-71页 |
5.3.1 片层厚度对SiO_C陶瓷力学性能的影响 | 第63-67页 |
5.3.2 墨水成型性对SiO_C陶瓷力学性能的影响 | 第67-68页 |
5.3.3 填充度对SiO_C陶瓷力学性能的影响 | 第68-71页 |
5.4 本章小结 | 第71-72页 |
结论 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-78页 |
致谢 | 第78页 |