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直接打印成型制备SiOC陶瓷及力学性能研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第1章 绪论第10-26页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第10-11页
    1.2 3D打印技术的发展现状第11-12页
    1.3 陶瓷3D打印技术分类及工艺第12-15页
        1.3.1 直接打印技术(DIP)第12-14页
        1.3.2 选择性激光烧结技术(SLS)第14页
        1.3.3 熔融沉积技术(FDM)第14-15页
        1.3.4 立体光刻技术(SLA)第15页
    1.4 陶瓷3D打印技术原料类型第15-22页
        1.4.1 陶瓷粉体3D打印技术第16-20页
        1.4.2 陶瓷前驱体3D打印技术第20-22页
    1.5 前驱体裂解法制备SiO_C陶瓷第22-25页
        1.5.1 聚硅氧烷的交联与裂解第22-23页
        1.5.2 SiO_C陶瓷的结构与性能第23-25页
    1.6 本文的主要研究内容第25-26页
第2章 试验材料及研究方法第26-34页
    2.1 试验材料第26-27页
    2.2 SiO_2-HPSO/DVB制备工艺第27-28页
    2.3 SiO_2-HPSO/DVB体系DIP成型工艺设计第28-29页
        2.3.1 AutoCAD建模软件及UPStudio打印控制软件第28页
        2.3.2 DIP成型设备第28-29页
        2.3.3 SiO_2-HPSO/DVB体系成型工艺设计第29页
    2.4 材料组织结构分析第29-31页
        2.4.1 体系流变学性能分析第29页
        2.4.2 傅里叶变换红外光谱分析第29-30页
        2.4.3 X射线衍射分析第30页
        2.4.4 X射线光电子能谱分析第30页
        2.4.5 显微组织形貌分析第30-31页
        2.4.6 热重分析第31页
    2.5 材料性能测试第31-34页
        2.5.1 陶瓷材料的密度测试第31页
        2.5.2 陶瓷材料的维氏硬度测试第31-32页
        2.5.3 陶瓷材料的抗压强度测试第32页
        2.5.4 陶瓷材料的抗弯强度测试第32-34页
第3章 SIO2-HPSO/DVB体系DIP成型性分析第34-47页
    3.1 SiO_2填充量对SiO_2-HPSO/DVB体系流变学性能的影响第34-35页
    3.2 功能化模型设计与绘制第35-36页
    3.3 功能化模型DIP成型SiO_C陶瓷构件成型效果分析第36-42页
        3.3.1 DIP成型SiO_C陶瓷构件表观结构完整性第36-40页
        3.3.2 DIP成型SiO_C陶瓷墨水连接性第40-42页
    3.4 DIP成型工艺对SiO_C陶瓷构件线收缩率的影响第42-46页
        3.4.1 片层厚度对SiO_C陶瓷构件线收缩率的影响第42-43页
        3.4.2 裂解温度对SiO_C陶瓷构件线收缩率的影响第43-44页
        3.4.3 构件形状对SiO_C陶瓷构件线收缩率的影响第44-46页
    3.5 本章小结第46-47页
第4章 SIOC陶瓷的微观组织结构第47-59页
    4.1 SiO_2-HPSO/DVB体系的交联固化第47-48页
    4.2 SiO_2-HPSO/DVB裂解SiO_C陶瓷的微观组织结构第48-55页
        4.2.1 SiO_2-HPSO/DVB裂解温度分析第48-49页
        4.2.2 SiO_2-HPSO/DVB裂解SiO_C陶瓷的结构分析第49-53页
        4.2.3 SiO_2-HPSO/DVB裂解SiO_C陶瓷的微观形貌分析第53-55页
    4.3 SiO_2-HPSO/DVB裂解SiO_C陶瓷的质量保留率第55-57页
    4.4 本章小结第57-59页
第5章 DIP成型SIOC陶瓷的力学性能分析第59-72页
    5.1 裂解温度对SiO_C陶瓷力学性能的影响第59-63页
    5.2 模型结构对SiO_C陶瓷力学性能的影响第63页
    5.3 DIP成型工艺对SiO_C陶瓷力学性能的影响第63-71页
        5.3.1 片层厚度对SiO_C陶瓷力学性能的影响第63-67页
        5.3.2 墨水成型性对SiO_C陶瓷力学性能的影响第67-68页
        5.3.3 填充度对SiO_C陶瓷力学性能的影响第68-71页
    5.4 本章小结第71-72页
结论第72-73页
参考文献第73-78页
致谢第78页

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