| 中文摘要 | 第4-7页 |
| abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 引言 | 第14-16页 |
| 1.2 太阳电池的基本原理与主要性能参数 | 第16-18页 |
| 1.2.1 太阳电池的基本原理 | 第16页 |
| 1.2.2 太阳电池的主要性能参数 | 第16-18页 |
| 1.3 钙钛矿太阳电池 | 第18-30页 |
| 1.3.1 钙钛矿太阳电池的发展 | 第18-19页 |
| 1.3.2 钙钛矿材料的结构 | 第19-23页 |
| 1.3.3 介孔钙钛矿太阳电池的支架层 | 第23-24页 |
| 1.3.4 钙钛矿太阳电池的空穴传输层(HTM) | 第24-26页 |
| 1.3.5 钙钛矿太阳电池的稳定性研究 | 第26-28页 |
| 1.3.6 钙钛矿太阳电池的迟滞现象 | 第28页 |
| 1.3.7 钙钛矿太阳电池的制备方法 | 第28-30页 |
| 1.4 选题意义及主要内容 | 第30-32页 |
| 第二章 实验材料及仪器设备 | 第32-36页 |
| 2.1 实验材料 | 第32-33页 |
| 2.2 样品制备所需实验仪器 | 第33页 |
| 2.3 样品表征 | 第33-36页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第33页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第33-34页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第34页 |
| 2.3.4 紫外可见吸收光谱(UV-vis) | 第34页 |
| 2.3.5 光致发光光谱(PL) | 第34页 |
| 2.3.6 光电流密度-光电压测定(J-V) | 第34-35页 |
| 2.3.7 外量子效率(EQE) | 第35-36页 |
| 第三章 互扩散法制备CH_3NH_3PbI_3光吸收层 | 第36-52页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 互扩散法制备基于CH_3NH_3PbI_3(MAPbI_3)的钙钛矿太阳电池 | 第37-40页 |
| 3.2.1 导电玻璃(FTO)的准备和清洗 | 第37-38页 |
| 3.2.2 致密TiO_2层的制备 | 第38页 |
| 3.2.3 TiO_2纳米棒阵列的制备 | 第38页 |
| 3.2.4 互扩散法制备CH_3NH_3PbI_3光吸收层 | 第38-39页 |
| 3.2.5 钙钛矿太阳电池的组装 | 第39-40页 |
| 3.3 互扩散法制备的CH_3NH_3PbI_3光吸收层的表征 | 第40-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-52页 |
| 第四章 HAc溶剂辅助退火对CH_3NH_3PbI_3基钙钛矿太阳电池的改性. | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 HAC溶剂辅助退火法制备CH_3NH_3PbI_3光吸收层与其性能表征.. | 第53-64页 |
| 4.2.1 HAc溶剂辅助退火法制备CH_3NH_3PbI_3光吸收层 | 第53-54页 |
| 4.2.2 HAc溶剂辅助退火法制备的CH_3NH_3PbI_3光吸收层的表征 | 第54-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 CsBr处理对钙钛矿太阳电池性能及稳定性的影响研究 | 第66-82页 |
| 5.1 引言 | 第66-67页 |
| 5.2 CsBr处理CH_3NH_3PbI_3膜的样品制备与表征 | 第67-81页 |
| 5.2.1 CsBr处理CH_3NH_3PbI_3膜的样品制备 | 第67-69页 |
| 5.2.2 CsBr处理的CH_3NH_3PbI_3膜的表征 | 第69-81页 |
| 5.3 本章小结 | 第81-82页 |
| 第六章 结论与展望 | 第82-86页 |
| 6.1 结论 | 第82-83页 |
| 6.2 展望 | 第83-86页 |
| 参考文献 | 第86-106页 |
| 作者简历 | 第106-108页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第108-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
