双向CSTBT的设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 引言 | 第9-19页 |
| 1.1 本课题的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 IGBT的诞生以及发展概述 | 第10-15页 |
| 1.3 双向IGBT发展概述 | 第15-17页 |
| 1.4 本课题的研究意义 | 第17页 |
| 1.5 本文的主要研究工作 | 第17-19页 |
| 第二章 双向IGBT的基本理论 | 第19-28页 |
| 2.1 双向IGBT的基本结构 | 第19页 |
| 2.2 双向IGBT的阻断特性 | 第19-21页 |
| 2.3 双向IGBT的阈电压 | 第21-22页 |
| 2.4 双向IGBT的导通特性 | 第22-24页 |
| 2.4.1 传统IGBT模式 | 第22-23页 |
| 2.4.2 MOSFET工作模式 | 第23页 |
| 2.4.3 quasi-IGBT工作模式 | 第23-24页 |
| 2.5 双向IGBT的反向恢复 | 第24-25页 |
| 2.6 双向IGBT的关断特性 | 第25-27页 |
| 2.7 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 双向CSTBT的设计 | 第28-45页 |
| 3.1 N-漂移区参数 | 第28-29页 |
| 3.2 N型阻挡层参数 | 第29-35页 |
| 3.2.1 N型阻挡层浓度 | 第30-33页 |
| 3.2.2 N型阻挡层厚度 | 第33-35页 |
| 3.3 P型埋层参数 | 第35-40页 |
| 3.3.1 P型埋层浓度 | 第36-37页 |
| 3.3.2 P型埋层厚度 | 第37-40页 |
| 3.4 沟槽深度参数 | 第40-41页 |
| 3.5 元胞工艺流程 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-45页 |
| 第四章 三种双向IGBT的对比 | 第45-53页 |
| 4.1 不同Ncs下的耐压和正向导通压降 | 第46-49页 |
| 4.2 关断损耗 | 第49-51页 |
| 4.3 正向导通压降和关断损耗的折衷曲线 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第53页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第60页 |
