摘要 | 第4-9页 |
Abstract | 第9-13页 |
第一章 绪论 | 第17-43页 |
§1.1 II-VI 族化合物半导体纳米材料的研究进展 | 第17-23页 |
§1.1.1 II-VI 族化合物半导体纳米材料 | 第17-20页 |
§1.1.2 II-VI 族三元化合物半导体 | 第20-21页 |
§1.1.3 II-VI 族化合物半导体的掺杂 | 第21-22页 |
§1.1.4 II-VI 族化合物半导体纳米材料的问题 | 第22-23页 |
§1.2 Si 基 II-VI 族化合物半导体结构 | 第23-26页 |
§1.3 基于 Si-NPA 的复合体系 | 第26-32页 |
§1.3.1 Si-NPA 的结构及性能 | 第26-28页 |
§1.3.2 基于 Si-NPA 的纳米异质结构 | 第28-32页 |
§1.4 本课题的研究思路和内容 | 第32-35页 |
第一章 参考文献 | 第35-43页 |
第二章 CdS/Si 多界面纳米异质结的制备和结构表征 | 第43-72页 |
§2.1 引言 | 第43-44页 |
§2.2 Si-NPA 的制备、结构表征 | 第44-48页 |
§2.3 CdS/Si 多界面纳米异质结的制备与表征 | 第48-62页 |
§2.3.1 CdS/Si 多界面纳米异质结的制备 | 第48-49页 |
§2.3.2 退火对 CdS/Si 多界面纳米异质结结构的影响 | 第49-55页 |
§2.3.3 沉积时间对 CdS/Si 多界面纳米异质结结构的影响 | 第55-60页 |
§2.3.4 CdS/Si 多界面纳米异质结的 Raman 光谱 | 第60-62页 |
§2.4 小结 | 第62-65页 |
第二章 参考文献 | 第65-72页 |
第三章 CdS/Si 多界面纳米异质结的光致发光特性 | 第72-107页 |
§3.1 引言 | 第72-73页 |
§3.2 Si-NPA 的光致发光特性 | 第73-80页 |
§3.2.1 Si-NPA 的室温光致发光特性研究 | 第75-77页 |
§3.2.2 Si-NPA 光致发光的变温特性 | 第77-80页 |
§3.3 CdS/Si 多界面纳米异质结的光致发光特性 | 第80-96页 |
§3.3.1 CdS/Si 多界面纳米异质结的室温光致发光特性 | 第81-88页 |
§3.3.1.1 退火对 CdS/Si 多界面纳米异质结光致发光特性的影响 | 第81-86页 |
§3.3.1.2 沉积时间对 CdS/Si-NPA 光致发光特性的影响 | 第86-88页 |
§3.3.2 CdS/Si 多界面纳米异质结的变温光致发光特性 | 第88-96页 |
§3.4 小结 | 第96-99页 |
第三章 参考文献 | 第99-107页 |
第四章 CdS/Si 多界面纳米异质结的电学特性和电致发光 | 第107-131页 |
§4.1 引言 | 第107-109页 |
§4.2 CdS/Si 多界面纳米异质结的电学特性 | 第109-118页 |
§4.2.1 电极的制备 | 第109-111页 |
§4.2.2 CdS/Si 多界面纳米异质结的电学特性及机制 | 第111-118页 |
§4.3 CdS/Si 多界面纳米异质结的电致发光特性 | 第118-124页 |
§4.4 小结 | 第124-126页 |
第四章 参考文献 | 第126-131页 |
第五章 CdS/Si 多界面纳米异质结的光伏特性 | 第131-156页 |
§5.1 引言 | 第131-133页 |
§5.2 退火对 CdS/Si 多界面纳米异质结光伏特性的影响 | 第133-139页 |
§5.3 沉积时间对 CdS/Si 多界面纳米异质结光伏特性的影响 | 第139-146页 |
§5.4 Si-NPA 衬底退火对 CdS/Si 多界面纳米异质结光伏特性的影响 | 第146-150页 |
§5.5 小结 | 第150-152页 |
第五章 参考文献 | 第152-156页 |
第六章 结论与展望 | 第156-161页 |
1、CdS/Si 多界面纳米异质结的制备和表征 | 第156-157页 |
2、CdS/Si 多界面纳米异质结的室温和变温光致发光特性 | 第157-158页 |
3、CdS/Si 多界面纳米异质结的电学特性和电致发光 | 第158-159页 |
4、CdS/Si 多界面纳米异质结的光伏特性 | 第159-161页 |
博士期间完成的论文 | 第161-162页 |
致谢 | 第162页 |