| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-34页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 光电探测器的光电特性 | 第9-16页 |
| 1.2.1 半导体光电探测器的重要性能参数 | 第9-11页 |
| 1.2.2 光电探测器的几种物理效应 | 第11-13页 |
| 1.2.3 不同波段的半导体光电探测器的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.4 光电探测器的发展趋向 | 第16页 |
| 1.3 光电探测材料的研究及发展 | 第16-26页 |
| 1.3.1 硫化铅的光电材料 | 第16-22页 |
| 1.3.1.1 硫化铅晶体结构和基本性质 | 第16-17页 |
| 1.3.1.2 硫化铅纳米材料的制备方法 | 第17-21页 |
| 1.3.1.3 硫化铅光电特性的研究 | 第21-22页 |
| 1.3.2 半导体光电探测材料的发展 | 第22-26页 |
| 1.4 等离子共振技术及其光电探测的研究 | 第26-33页 |
| 1.4.1 等离子共振技术简介 | 第26-27页 |
| 1.4.2 等离子共振频率的可调谐性 | 第27-30页 |
| 1.4.3 等离子共振增强光电探测的研究 | 第30-32页 |
| 1.4.4 等离子共振技术的应用 | 第32-33页 |
| 1.5 本论文的研究内容及意义 | 第33-34页 |
| 第2章 PbS薄膜的制备及光学吸收特性的研究 | 第34-40页 |
| 2.1 引言 | 第34页 |
| 2.2 实验部分 | 第34-36页 |
| 2.2.1 实验原料及设备 | 第34-35页 |
| 2.2.2 PbS纳米薄膜 | 第35页 |
| 2.2.3 样品的形貌及性能表征 | 第35-36页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第36-39页 |
| 2.3.1 PbS纳米薄膜物相及形貌结构分析 | 第36页 |
| 2.3.2 络合剂对PbS纳米薄膜吸收光谱的影响 | 第36-38页 |
| 2.3.3 温度对PbS纳米薄膜吸收光谱的影响 | 第38-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 复合金纳米棒阵列的PbS薄膜探测器的制备及光电性能的研究 | 第40-50页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 实验部分 | 第40-43页 |
| 3.2.1 实验原料及设备 | 第40-41页 |
| 3.2.2 PbS薄膜的制备 | 第41页 |
| 3.2.3 UOP-TM的制备 | 第41-42页 |
| 3.2.4 金纳米棒阵列修饰的PbS薄膜探测器的构筑 | 第42-43页 |
| 3.2.5 样品的分析和表征 | 第43页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第43-49页 |
| 3.3.1 金纳米棒阵列修饰的PbS薄膜的形貌结构及基本光学性能表征 | 第43-44页 |
| 3.3.2 金纳米棒阵列修饰的PbS薄膜探测器的光电性能测试 | 第44-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 总结与展望 | 第50-51页 |
| 4.1 本文总结 | 第50页 |
| 4.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第63页 |
