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g-C3N4基半导体材料电子结构调控及其光催化还原铀性能及机制研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 前言第10-20页
    1.1 引言第10页
    1.2 半导体光催化的基本原理及其应用第10-13页
        1.2.1 半导体光催化的基本原理第10-11页
        1.2.2 半导体光催化的应用第11-13页
    1.3 半导体光催化剂的研究现状第13页
    1.4 石墨相氮化碳光催化剂的研究现状第13-16页
        1.4.1 石墨相氮化碳光催化剂的研究背景第13-14页
        1.4.2 石墨相氮化碳光催化剂的制备第14-16页
    1.5 石墨相氮化碳复合光催化材料的研究现状第16-18页
        1.5.1 掺杂第16-17页
        1.5.2 半导体复合第17-18页
        1.5.3 染料敏化第18页
    1.6 本论文研究的主要内容第18-20页
第二章 S掺杂g-C_3N_4光催化还原酰铀性能及机制第20-34页
    2.1 实验部分第20-22页
        2.1.1 实验仪器设备与试剂第20-21页
        2.1.2 光催化剂的制备第21-22页
        2.1.3 光催化活性测试第22页
    2.2 结果与讨论第22-33页
        2.2.1 S-g-C_3N_4样品XRD分析第22-23页
        2.2.2 S-g-C_3N_4形貌分析第23-25页
        2.2.3 S-g-C_3N_4的XPS分析第25-26页
        2.2.4 S-g-C_3N_4的光吸收性能分析第26-28页
        2.2.5 S-g-C_3N_4的光催化性能及稳定性研究第28-33页
    2.3 本章小结第33-34页
第三章 P掺杂g-C_3N_4微米管光催化还原酰铀性能及机制第34-44页
    3.1 实验部分第34-36页
        3.1.1 实验仪器设备与试剂第34-35页
        3.1.2 光催化剂的制备第35-36页
        3.1.3 光催化活性测试第36页
    3.2 结果与讨论第36-43页
        3.2.1 P-TCN的XRD分析第36-37页
        3.2.2 P-TCN的形貌分析第37-38页
        3.2.3 P-TCN的XPS分析第38-40页
        3.2.4 P-TCN的光吸收性能分析第40页
        3.2.5 P-TCN的光催化剂的性能及稳定性研究第40-41页
        3.2.6 P-TCN的光电流和电化学阻抗第41-43页
    3.3 本章小结第43-44页
第四章 碳纳米笼复合g-C_3N_4的制备及其光催化还原酰铀性能研究第44-56页
    4.1 实验部分第44-46页
        4.1.1 实验仪器设备与试剂第44-46页
        4.1.2 光催化剂的制备第46页
        4.1.3 光催化活性测试第46页
    4.2 结果与讨论第46-54页
        4.2.1 g-C_3N_4/CNCs样品的XRD分析第46-47页
        4.2.2 g-C_3N_4/CNCs样品的形貌分析第47-49页
        4.2.3 g-C_3N_4/CNCs样品的XPS分析第49页
        4.2.4 g-C_3N_4/CNCs样品的Raman分析第49页
        4.2.5 g-C_3N_4/CNCs样品的光吸收性能分析第49-51页
        4.2.6 g-C_3N_4/CNCs样品的光催化性能分析第51-52页
        4.2.7 g-C_3N_4/CNCs样品的机理分析第52-54页
    4.3 本章小结第54-56页
第五章 总结与展望第56-58页
    5.1 总结第56-57页
    5.2 展望第57-58页
参考文献第58-70页
致谢第70-72页
附录:硕士期间取得的研究成果第72-73页

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