摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第1章 背景 | 第11-29页 |
1.1 graphene/Si的应用研究 | 第11-12页 |
1.2 现有的graphene/Si的构成方法 | 第12-21页 |
1.2.1 在衬底Si上直接生长graphene | 第12-15页 |
1.2.2 超高真空中转移graphene flakes到Si衬底上 | 第15-19页 |
1.2.3 常温常压下转移graphene到Si衬底上 | 第19-21页 |
1.3 graphene/Si的界面结构的理论预测 | 第21-22页 |
1.4 graphene/intercalation/Si | 第22-23页 |
1.4.1 graphene/intercalation/substrate | 第22页 |
1.4.2 single metal layer/Si(111) | 第22页 |
1.4.3 graphene/(single)metal layer/Si(111) | 第22-23页 |
1.5 graphene/substrate的平整度识别分析和实验构想 | 第23-26页 |
1.5.1 graphene/substrate的平整度识别分析 | 第23-25页 |
1.5.2 实验构想 | 第25-26页 |
参考文献 | 第26-29页 |
第2章 原子级光滑平的graphene/Si(111)的实现 | 第29-43页 |
2.1 构建方法和难点 | 第29-37页 |
2.1.1 难点、扫描隧道显微镜(STM)和数据分析处理 | 第30-31页 |
2.1.2 湿刻得到H-Si(111) | 第31-33页 |
2.1.3 转移CVD-graphene到刚刻蚀好的H-Si(111)上 | 第33-34页 |
2.1.4 超高真空退火graphene/H-Si(111) | 第34-37页 |
2.2 实验结果 | 第37-40页 |
2.2.1 实验初期普通方法及得到的graphene/Si表面 | 第38页 |
2.2.2 原子级粗糙/光滑平的graphene/Si | 第38-40页 |
2.3 小结 | 第40-41页 |
参考文献 | 第41-43页 |
第3章 graphene/Si(111)中graphene电学本征性验证 | 第43-65页 |
3.1 graphene/Si中能量依赖的电学透明性和graphene的Dirac点的观察 | 第43-56页 |
3.1.1 graphene/semiconductor中能量依赖的电学透明性 | 第44-47页 |
3.1.2 脱附H-Si中衬底Si上的H原子 | 第47-53页 |
3.1.3 我们的实验结果 | 第53-56页 |
3.2 第一性原理计算 | 第56-58页 |
3.2.1 基于实验数据的模型 | 第56-57页 |
3.2.2 计算结果 | 第57-58页 |
3.3 电学输运、XPS结果、单层连续性 | 第58-61页 |
3.3.1 电学输运 | 第59-60页 |
3.3.2 XPS结果 | 第60页 |
3.3.3 单层连续性 | 第60-61页 |
3.4 小结 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-65页 |
第4章 graphene/Si(111)体系的热稳定性研究 | 第65-73页 |
4.1 760K: graphene/Si(111) moire pattern | 第65-66页 |
4.2 微米级超平贴合的graphene/Si(111) | 第66-69页 |
4.2.1 不断提高退火温度,graphene/Si(111)表面形貌变化趋势 | 第67页 |
4.2.2 实验上仍保持超平贴合能承受的最高的退火温度 | 第67-68页 |
4.2.3 实验结果:微米级超平贴合的graphene/Si(111) | 第68-69页 |
4.3 石墨烯分解 | 第69-70页 |
4.4 类似wavy的实验结果 | 第70-71页 |
4.5 小结 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-73页 |
第5章 总结和展望 | 第73-75页 |
5.1 全文总结 | 第73页 |
5.2 展望 | 第73-75页 |
5.2.1 厘米级甚至更大面积的超平graphene/Si | 第73页 |
5.2.2 graphene/Si能超平贴合的机制 | 第73-74页 |
5.2.3 稳定的graphene/Si(111)-7×7摩尔纹结构 | 第74页 |
5.2.4 graphene/monolayer metal/Si(111)体系 | 第74-75页 |
致谢 | 第75-77页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第77页 |