摘要 | 第8-10页 |
ABSTRACT | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第12-32页 |
引言 | 第12页 |
1.1 有机半导体材料 | 第12-22页 |
1.1.1 有机场效应晶体管的发展现状 | 第12-13页 |
1.1.2 有机场效应晶体管的结构、工作原理及关键的性能参数 | 第13-16页 |
1.1.3 OFET材料研究现状 | 第16-22页 |
(1) p-型小分子半导体材料 | 第17-18页 |
(2) n-型小分子半导体材料 | 第18-20页 |
(3) 双极型小分子半导体材料 | 第20-22页 |
1.2 氰根离子探针 | 第22-27页 |
1.2.1 氰根离子检测的研究意义 | 第22页 |
1.2.2 氰离子检测的研究现状 | 第22-27页 |
(1) 识别-报告型 | 第23-24页 |
(2) 基于铜氰络离子的置换型 | 第24-25页 |
(3) 基于C-B键生成的化学计量型 | 第25-26页 |
(4) 基于C-C键生成化学计量型 | 第26-27页 |
1.3 研究方案 | 第27页 |
参考文献 | 第27-32页 |
第二章 基于并二噻唑内核的烷基联噻吩类双极型半导体 | 第32-46页 |
2.1 引言 | 第32-33页 |
2.2 合成与表征 | 第33-36页 |
2.2.1 试剂和仪器 | 第33-34页 |
2.2.2 合成路线与步骤 | 第34-36页 |
2.3 性能研究 | 第36-42页 |
2.3.1 光谱特性和电化学性质 | 第36-38页 |
2.3.2 DH-TTFZTT的单晶结构 | 第38-39页 |
2.3.3 XRD和AFM图 | 第39-40页 |
2.3.4 器件性能 | 第40-42页 |
2.4 本章小结 | 第42-43页 |
参考文献 | 第43-46页 |
第三章 基于DPP内核的烷基联噻吩类双极型半导体 | 第46-59页 |
3.1 引言 | 第46-47页 |
3.2 合成与表征 | 第47-50页 |
3.2.1 试剂和仪器 | 第47-48页 |
3.2.2 合成路线及步骤 | 第48-50页 |
3.3 性能研究 | 第50-55页 |
3.3.1 光谱特性和电化学性质 | 第50-52页 |
3.3.2 器件性能 | 第52-53页 |
3.3.3 XRD和AFM图 | 第53-55页 |
3.4 DPP体系与并二噻唑体系的比较 | 第55页 |
3.5 本章小结 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-59页 |
第四章 基于芘的氰离子探针研究 | 第59-78页 |
4.1 引言 | 第59-60页 |
4.2 合成与表征 | 第60-65页 |
4.2.1 试剂与仪器 | 第60页 |
4.2.2 合成路线与步骤 | 第60-65页 |
4.3 探针行为及机理 | 第65-67页 |
4.3.1 方法与仪器 | 第65页 |
4.3.2 结果与讨论 | 第65-67页 |
4.4 结构与性能的比较和分析 | 第67-71页 |
4.4.1 吲哚盐与苯并噻唑盐的比较 | 第68-69页 |
4.4.2 化合物P2和化合物P3的比较 | 第69-71页 |
4.5 基于芘的光致变色化合物 | 第71-75页 |
4.5.1 化合物P4的光致变色性质研究 | 第71-72页 |
4.5.2 化合物P4的氰离子检测 | 第72-74页 |
4.5.3 化合物P5的单晶结构 | 第74-75页 |
4.6 本章小结 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-78页 |
第五章 全文总结与展望 | 第78-81页 |
附录 化合物的核磁、质谱谱图 | 第81-97页 |
攻读硕士学位期间发表的主要论文 | 第97-98页 |
致谢 | 第98-99页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第99页 |