| 学位论文的主要创新点 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.2 OTP存储器简介 | 第10-12页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 OTP存储器在我国经济发展中的需求 | 第13-15页 |
| 1.5 论文组织结构 | 第15-17页 |
| 第二章 栅氧击穿模型的原理 | 第17-25页 |
| 2.1 经时击穿模型 | 第18-23页 |
| 2.1.1 空穴击穿模型 | 第19-21页 |
| 2.1.2 热化学击穿模型 | 第21-22页 |
| 2.1.3 统一击穿模型 | 第22-23页 |
| 2.2 小结 | 第23-25页 |
| 第三章 电介质击穿型OTP存储单元设计 | 第25-31页 |
| 3.1 非易失性熔丝存储单元结构 | 第25页 |
| 3.2 熔丝存储单元说明 | 第25-27页 |
| 3.3 多位存储器的应用 | 第27-28页 |
| 3.4 熔丝模块的编程操作 | 第28-29页 |
| 3.5 小结 | 第29-31页 |
| 第四章 OTP存储器的整体设计 | 第31-43页 |
| 4.1 OTP存储器的几种模式 | 第32-33页 |
| 4.1.1 编程模式 | 第32页 |
| 4.1.2 预编程的SET和RESET模式 | 第32页 |
| 4.1.3 读模式 | 第32-33页 |
| 4.2 针对OTP存储器的DFT设计 | 第33-36页 |
| 4.2.1 测试模式(test pattern)的说明 | 第34-35页 |
| 4.2.2 SET和RESET测试 | 第35-36页 |
| 4.2.3 编程和验证测试 | 第36页 |
| 4.3 OTP存储单元的电路设计 | 第36-38页 |
| 4.4 OTP熔丝存储单元的仿真电路设计及仿真结果 | 第38-40页 |
| 4.5 OTP熔丝存储器的版图设计要点 | 第40-42页 |
| 4.6 16-bit反熔丝OTP存储器的版图 | 第42-43页 |
| 第五章 OTP存储器的烧写与可靠性测试 | 第43-51页 |
| 5.1 OTP烧写注意事项 | 第43-44页 |
| 5.2 老化实验(Burn-in)的介绍 | 第44-46页 |
| 5.3 OTP存储单元的测试指标 | 第46-49页 |
| 5.3.1 加速因子的计算 | 第46-47页 |
| 5.3.2 ELFR测试 | 第47页 |
| 5.3.3 老化HTOL/LTOL测试 | 第47-48页 |
| 5.3.4 老化系统耐久度测试 | 第48-49页 |
| 5.4 小结 | 第49-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 6.1 总结 | 第51页 |
| 6.2 展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |