| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 硅基光互联与硅基光源 | 第12-17页 |
| 1.2 单量子点光源 | 第17-23页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容及创新点 | 第23-24页 |
| 1.4 本课题的来源及受资助情况 | 第24-25页 |
| 2 分子束外延技术及生长标定 | 第25-42页 |
| 2.1 硅锗分子束外延系统 | 第25-29页 |
| 2.2 材料测试表征技术 | 第29-37页 |
| 2.3 硅/锗材料生长速率以及掺杂浓度的标定 | 第37-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 3 锗量子点的分子束外延生长 | 第42-63页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 高密度的自组装锗量子点的外延生长 | 第43-52页 |
| 3.3 低密度定位锗量子点的可控生长 | 第52-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 4 光子晶体微腔嵌入单个锗量子点器件的制备 | 第63-83页 |
| 4.1 引言 | 第63-64页 |
| 4.2 电子束曝光和感应耦合等离子刻蚀 | 第64-68页 |
| 4.3 电子束曝光套刻工艺 | 第68-73页 |
| 4.4 硅基光子晶体微腔的设计与制备 | 第73-79页 |
| 4.5 光子晶体微腔嵌入单个锗量子点器件的制备 | 第79-82页 |
| 4.6 本章小结 | 第82-83页 |
| 5 光子晶体微腔增强的单个锗量子点发光特性研究 | 第83-99页 |
| 5.1 单个锗量子点的发光 | 第83-84页 |
| 5.2 光子晶体微腔增强的单个锗量子点的发光 | 第84-86页 |
| 5.3 Purcell因子的估算及分析 | 第86-91页 |
| 5.4 量子点的变温发光特性及分析 | 第91-94页 |
| 5.5 微腔增强的单个锗量子点的光谱功率依赖特性 | 第94-96页 |
| 5.6 HBT实验与二阶相干度测试 | 第96-98页 |
| 5.7 本章小结 | 第98-99页 |
| 6 纳米金属天线增强的锗量子点发光器件 | 第99-109页 |
| 6.1 引言 | 第99-101页 |
| 6.2 器件设计与制备 | 第101-102页 |
| 6.3 器件发光特性表征与模拟仿真 | 第102-104页 |
| 6.4 光学天线的Purcell效应与量子效率的提升 | 第104-108页 |
| 6.5 本章小结 | 第108-109页 |
| 7 可控锗硅纳米低维结构的制备及应用 | 第109-128页 |
| 7.1 引言 | 第109-111页 |
| 7.2 锗硅纳米低维结构的制备和表征 | 第111-122页 |
| 7.3 锗硅纳米线光电导探测器的制备和表征 | 第122-127页 |
| 7.4 本章小结 | 第127-128页 |
| 8 总结与展望 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-151页 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第151-153页 |
| 附录2 论文中缩略词的含义 | 第153页 |