| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.1.1 微波领域 | 第10页 |
| 1.1.2 太赫兹领域 | 第10-12页 |
| 1.2 周期结构研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 基片集成波导SIW研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 微带泄漏波天线研究现状 | 第13-15页 |
| 1.2.3 左手传输线的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 本文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 第2章 三种周期结构特性分析 | 第18-34页 |
| 2.1 天线 | 第18-24页 |
| 2.1.1 天线的系统特征 | 第18-19页 |
| 2.1.2 天线的辐射场与辐射功率 | 第19-20页 |
| 2.1.3 天线的辐射场型图 | 第20-21页 |
| 2.1.4 天线的增益和效率 | 第21-22页 |
| 2.1.5 天线孔径效率与有效面积 | 第22页 |
| 2.1.6 背景温度与亮度温度 | 第22-24页 |
| 2.2 基片集成波导与矩形波导 | 第24-30页 |
| 2.2.1 基片集成波导结构 | 第24-25页 |
| 2.2.2 基片集成波导结构中的电场图 | 第25-26页 |
| 2.2.3 矩形波导传播特性公式及其推导 | 第26-30页 |
| 2.3 左手传输线与左手耦合线 | 第30-34页 |
| 2.3.1 左手材料定义及特征 | 第30-31页 |
| 2.3.2 复合左右手传输线 | 第31-34页 |
| 第3章 SIW的泄漏波特性研究 | 第34-48页 |
| 3.1 周期性结构描述 | 第34-35页 |
| 3.2 GSM/FEM方法推导 | 第35-36页 |
| 3.2.1 建立求解模型 | 第35-36页 |
| 3.2.2 求解本征模态 | 第36页 |
| 3.3 GSM/FEM数值运算结果验证 | 第36-38页 |
| 3.4 SIW结构参数对波导色散特性的影响 | 第38-42页 |
| 3.4.1 LTCC工艺说明 | 第38-39页 |
| 3.4.2 结构参数变化对传播常数影响分析 | 第39-42页 |
| 3.5 SIW结构能量泄漏区域的场型分析 | 第42-43页 |
| 3.5.1 不同宽度SIW波导传播常数提取 | 第42页 |
| 3.5.2 相位常数抖动区域场型描述 | 第42-43页 |
| 3.6 SIW复数模区域的产生（空间谐波） | 第43-44页 |
| 3.6.1 SIW中空间谐波传播常数提取 | 第43页 |
| 3.6.2 SIW中空间谐波耦合区场型观察 | 第43-44页 |
| 3.7 CMOS工艺下新的SIW结构 | 第44-47页 |
| 3.7.1 CMOS工艺SIW结构 | 第44-45页 |
| 3.7.2 简化分析新SIW结构传播常数方法 | 第45-46页 |
| 3.7.3 结构参数变化对新结构的影响 | 第46-47页 |
| 3.8 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 引入金属通孔的双周期泄漏波天线研究 | 第48-62页 |
| 4.1 泄漏波天线的结构设计及模态分析 | 第48-50页 |
| 4.2 半长度微带线泄漏波天线的结构设计及模态分析 | 第50-54页 |
| 4.3 一种新型引入金属圆孔负载的双周期泄漏波天线 | 第54-60页 |
| 4.3.1 新型双周期漏波天线结构 | 第54-55页 |
| 4.3.2 天线传播特性提取 | 第55-56页 |
| 4.3.3 新型泄漏波天线与传统微带天线宽度对比 | 第56-57页 |
| 4.3.4 实物图 | 第57-58页 |
| 4.3.5 测量结果分析 | 第58-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 左手耦合器研究 | 第62-68页 |
| 5.1 对称左手耦合线模型 | 第62-63页 |
| 5.1.1 复合左右手耦合线结构 | 第62-63页 |
| 5.1.2 复合左右手耦合线色散曲线图 | 第63页 |
| 5.2 电容、电感对前向耦合系数的影响 | 第63-65页 |
| 5.3 10 dB左手前向耦合器设计案例 | 第65-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第6章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |