半绝缘GaAs光电导开关中空间电荷波效应研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 空间电荷波（SCW） | 第8-9页 |
| 1.2 光电导开关的发展历程 | 第9-12页 |
| 1.3 PCSS的国内外现状与前景 | 第12-16页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第16页 |
| 1.5 本章小结 | 第16-17页 |
| 2 GaAs PCSS的基本结构与工作模式 | 第17-26页 |
| 2.1 半绝缘GaAs材料的性质 | 第17-19页 |
| 2.1.1 GaAs材料的物理化学性质 | 第17页 |
| 2.1.2 GaAs的能带结构及半导体性质 | 第17-19页 |
| 2.2 PCSS的结构及种类 | 第19-20页 |
| 2.3 光电导开关的工作模式 | 第20-23页 |
| 2.3.1 线性工作模式 | 第20-21页 |
| 2.3.2 高倍增工作模式 | 第21-23页 |
| 2.4 高倍增工作模式的几种理论模型 | 第23-24页 |
| 2.5 高倍增模式光电阈值特性 | 第24页 |
| 2.6 本章小结 | 第24-26页 |
| 3 GaAs光电导开关研究实验 | 第26-34页 |
| 3.1 光激发载流子实验测试装置 | 第26-27页 |
| 3.1.1 开关结构 | 第26-27页 |
| 3.2 实验过程及现象 | 第27-31页 |
| 3.2.1 实验过程 | 第27页 |
| 3.2.2 实验现象 | 第27-31页 |
| 3.3 实验规律 | 第31-33页 |
| 3.3.1 非线性光电导开关典型的实验规律 | 第31-33页 |
| 3.3.2 实验规律补充 | 第33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 4 空间电荷波理论解释实验现象 | 第34-46页 |
| 4.1 猝灭积累层（LSA模式） | 第34-36页 |
| 4.2 空间电荷波简介（SCW） | 第36-39页 |
| 4.2.1 模型建立 | 第36-37页 |
| 4.2.2 空间电荷波的产生条件分析 | 第37-39页 |
| 4.3 电导函数推导 | 第39-41页 |
| 4.4 电导拟合函数图像 | 第41-43页 |
| 4.5 自激振荡频率引起渡越角减小 | 第43-44页 |
| 4.6 本章小结 | 第44-46页 |
| 5 结论与展望 | 第46-48页 |
| 5.1 结论 | 第46页 |
| 5.2 展望 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
