| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 非晶半导体简介 | 第10-11页 |
| 1.3 非晶硅薄膜及其元素掺杂研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3.1 非晶硅薄膜结构特征 | 第11-12页 |
| 1.3.2 非晶硅薄膜元素掺杂或合金化 | 第12-13页 |
| 1.4 非晶硅薄膜器件化应用概况 | 第13-17页 |
| 1.5 论文的主要工作 | 第17-19页 |
| 1.5.1 选题意义 | 第17页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第17-18页 |
| 1.5.3 技术路线 | 第18-19页 |
| 第二章 薄膜制备及光学、电学性能表征 | 第19-28页 |
| 2.1 实验薄膜制备 | 第19-22页 |
| 2.1.1 PVD沉积装置 | 第19-20页 |
| 2.1.2 硅钌及硅银合金薄膜制备 | 第20-21页 |
| 2.1.3 电极制备 | 第21-22页 |
| 2.1.4 退火处理 | 第22页 |
| 2.2 薄膜微结构表征方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 激光拉曼光谱(Raman) | 第22-23页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第23-24页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第24页 |
| 2.2.4 傅立叶转换红外光谱(FTIR) | 第24-25页 |
| 2.3 薄膜光学性能研究方法 | 第25-26页 |
| 2.3.1 椭圆偏振光谱(Ellisometry) | 第25页 |
| 2.3.2 紫外-可见分光光度计(UV-Vis) | 第25-26页 |
| 2.4 薄膜电学性能研究方法 | 第26-28页 |
| 2.4.1 电阻率测试 | 第26-27页 |
| 2.4.2 电阻温度系数测试 | 第27-28页 |
| 第三章 硅钌合金薄膜微结构及光电性能研究 | 第28-42页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 钌含量对薄膜微结构的影响 | 第28-34页 |
| 3.2.1 激光拉曼光谱 | 第28-31页 |
| 3.2.2 X射线衍射 | 第31-32页 |
| 3.2.3 TEM分析 | 第32-33页 |
| 3.2.4 FTIR红外吸收光谱 | 第33-34页 |
| 3.3 钌含量对薄膜光电性能的影响 | 第34-40页 |
| 3.3.1 电学性能 | 第34-36页 |
| 3.3.2 光学性能 | 第36-40页 |
| 3.4 小结 | 第40-42页 |
| 第四章 硅银合金薄膜微结构、光电性能及器件化应用研究 | 第42-56页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 银含量对硅银合金薄膜的影响 | 第42-48页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第42页 |
| 4.2.2 银含量对薄膜微结构的影响 | 第42-45页 |
| 4.2.3 银含量对薄膜光电性能的影响 | 第45-48页 |
| 4.3 硅银合金薄膜器件化应用初步研究 | 第48-56页 |
| 4.3.1 基于硅银合金薄膜的非易失性电阻开关器件 | 第48-49页 |
| 4.3.2 非易失性电阻开关特性椭圆偏振研究 | 第49-53页 |
| 4.3.3 基于硅银合金硅薄膜的波导光开关仿真研究 | 第53-54页 |
| 4.3.4 小结 | 第54-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 工作总结 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第64-65页 |
