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宽禁带CuCr1-xMgxO2材料的制备及光、电性能和LIV效应研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 CuCrO_2材料体系综述第12-28页
    1.1 铜铁矿结构材料的研究背景和进展第12-13页
    1.2 晶体结构与电子结构第13-16页
    1.3 透光性和带隙第16-19页
    1.4 电和热输运性能及电阻率各向异性第19-21页
    1.5 激光感生电压(LIV)效应介绍第21-25页
    1.6 应用前景第25-26页
    1.7 研究意义和内容第26-28页
        1.7.1 研究目的及意义第26-27页
        1.7.2 研究的主要内容第27-28页
第二章 实验方法第28-44页
    2.1 多晶靶材制备第28-30页
    2.2 薄膜制备第30-34页
        2.2.1 PLD系统与工作原理第30-33页
        2.2.2 PLD技术特点与工艺变量第33-34页
    2.3 材料的表征第34-39页
        2.3.1 多晶XRD表征第35页
        2.3.2 薄膜XRD表征第35-37页
        2.3.3 SEM表征第37-38页
        2.3.4 AFM表征第38-39页
    2.4 材料的性能测试第39-42页
        2.4.1 电阻率-温度曲线第39-40页
        2.4.2 Hall效应测试第40页
        2.4.3 透射光谱测试第40页
        2.4.4 激光感生电压信号测试第40-42页
    2.5 本章小结第42-44页
第三章 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶靶材制备及性能研究第44-58页
    3.1 CuCrO_2多晶制备工艺探索第44-48页
        3.1.1 工艺探索第44-46页
        3.1.2 XRD结果第46页
        3.1.3 ρ-T结果第46-48页
    3.2 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶靶材的表征第48-51页
        3.2.1 RD结构表征第48-49页
        3.2.2 SEM形貌观察第49-51页
    3.3 CuCr_(1-x)Mg_xO_2多晶靶材的电输运性能第51-53页
        3.3.1 电阻率温度曲线第51-52页
        3.3.2 Hall测试结果第52-53页
    3.4 Mg的掺杂效应第53-55页
        3.4.1 Mg掺杂对晶体结构和晶粒形貌的影响第54页
        3.4.2 Mg掺杂对电输运性能的影响第54-55页
    3.5 本章小结第55-58页
第四章 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜制备及电输运性质和LIV效应第58-80页
    4.1 薄膜生长第58-62页
        4.1.1 衬底和靶材第58页
        4.1.2 制备流程及生长工艺第58-59页
        4.1.3 薄膜生长的较佳工艺第59-62页
    4.2 薄膜的外延性表征第62-66页
        4.2.1 薄膜的面内φ扫描第62-64页
        4.2.2 倾斜薄膜的XRD表征第64-66页
    4.3 薄膜的AFM观察第66-67页
    4.4 薄膜的厚度及透光性第67-70页
        4.4.1 截面的SEM观察第67-68页
        4.4.2 透射光谱第68-69页
        4.4.3 光学带隙拟合第69-70页
    4.5 薄膜的ρ-T测量及电输运各向异性第70-75页
        4.5.1 平直与倾斜衬底上薄膜的ρ-T曲线对比第70-71页
        4.5.2 电阻率各向异性推导第71-73页
        4.5.3 CuCr_(1-x)Mg_xO_2薄膜中的电输运各向异性第73-75页
    4.6 c轴倾斜薄膜的LIV效应及机制探索第75-78页
        4.6.1 CuCrO_2薄膜的LIV响应第75页
        4.6.2 CuCr_(0.08)Mg_(0.02)O_2薄膜的LIV信号第75-77页
        4.6.3 薄膜LIV效应与电阻率的关联第77-78页
    4.7 本章小结第78-80页
第五章 结论与展望第80-82页
    5.1 结论第80-81页
    5.2 创新点和展望第81-82页
致谢第82-84页
参考文献第84-92页
附录 硕士期间发表的论文第92页

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