光子集成中的波导外延生长
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 光子集成的概念 | 第9页 |
| 1.2 光子集成中的光波导 | 第9-10页 |
| 1.3 有源波导和无源波导间的耦合 | 第10-14页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 2 MOCVD原理及外延测试技术 | 第15-30页 |
| 2.1 MOCVD外延技术发展背景 | 第15-17页 |
| 2.2 MOCVD外延生长原理 | 第17-18页 |
| 2.3 MOCVD设备的优势特点 | 第18-19页 |
| 2.4 MOCVD设备主要组成 | 第19-21页 |
| 2.5 外延材料测试技术 | 第21-28页 |
| 2.6 本章小结 | 第28-30页 |
| 3 外延生长实验 | 第30-47页 |
| 3.1 n型InP层掺杂浓度的研究 | 第31-33页 |
| 3.2 In GaAs P波导层生长分析 | 第33-34页 |
| 3.3 P型InP层掺杂浓度的研究 | 第34-35页 |
| 3.4 欧姆接触层的生长分析 | 第35-39页 |
| 3.5 In GaAs P/InP量子阱的研究 | 第39-42页 |
| 3.6 全波导结构的生长分析 | 第42-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 ECV腐蚀方法改进 | 第47-53页 |
| 5 总结 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
