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RGO-ZnO薄膜的制备与性能的研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-20页
    1.1 选题背景第11页
    1.2 石墨烯的晶体结构第11-13页
    1.3 石墨烯的制备方法第13-14页
        1.3.1 机械剥离法第13页
        1.3.2 氧化还原法第13-14页
        1.3.3 化学气相沉积法第14页
    1.4 ZnO的晶体结构第14-15页
    1.5 ZnO薄膜制备方法第15-18页
        1.5.1 化学气相沉积法第15-16页
        1.5.2 分子束外延法第16页
        1.5.3 脉冲激光沉积法第16页
        1.5.4 磁控溅射法第16-17页
        1.5.5 原子层沉积法第17页
        1.5.6 热蒸发法第17页
        1.5.7 喷雾热分解法第17-18页
        1.5.8 溶胶-凝胶法第18页
    1.6 本文的主要研究内容第18-20页
第2章 实验方法第20-30页
    2.1 实验药品与所用仪器第20-21页
    2.2 薄膜制备方法第21-23页
        2.2.1 石墨烯薄膜的制备第21-22页
        2.2.2 石墨烯-ZnO薄膜的制备第22-23页
    2.3 表征第23-30页
        2.3.1 X-射线衍射第24-25页
        2.3.2 扫描电子显微镜第25页
        2.3.3 原子力显微镜第25-26页
        2.3.4 透射电子显微镜第26页
        2.3.5 紫外-可见光光谱第26-27页
        2.3.6 光致发光光谱第27页
        2.3.7 拉曼光谱第27页
        2.3.8 红外光谱第27-28页
        2.3.9 四探针法第28-30页
第3章 石墨烯薄膜的制备第30-43页
    3.1 引言第30页
    3.2 氧化石墨烯薄膜的制备第30-33页
        3.2.1 普通白玻璃处理第30-31页
        3.2.2 氧化石墨(GO)薄膜的制备第31页
        3.2.3 氧化石墨(GO)的表征第31-33页
    3.3 HI还原氧化石墨烯薄膜得到石墨烯薄膜第33-39页
        3.3.1 实验过程以及结构分析第34-37页
        3.3.2 HI还原时间、HI浓度、还原温度对石墨烯薄膜电学性能的影响第37-39页
    3.4 提拉速度对石墨烯薄膜性能的影响第39-41页
        3.4.1 实验方案第39页
        3.4.2 结构性能分析第39-40页
        3.4.3 电学性能第40-41页
    3.5 提拉次数对石墨烯薄膜性能的影响第41-42页
    3.6 本章小结第42-43页
第4章 石墨烯-ZnO薄膜制备及其性能研究第43-50页
    4.1 引言第43页
    4.2 石墨烯-ZnO薄膜的制备第43-49页
        4.2.1 实验过程第43-44页
        4.2.2 结构性能分析第44-46页
        4.2.3 形貌分析第46-47页
        4.2.4 石墨烯-ZnO薄膜材料光电性能分析第47-49页
    4.3 本章小结第49-50页
第5章 石墨烯-ZnO薄膜的掺杂第50-59页
    5.1 引言第50页
    5.2 不同掺杂剂对石墨烯-ZnO薄膜进行掺杂第50-58页
        5.2.1 实验过程第50-51页
        5.2.2 结构分析第51-54页
        5.2.3 形貌分析第54-55页
        5.2.4 光学分析第55-56页
        5.2.5 电学分析第56-58页
    5.3 本章小结第58-59页
结论第59-60页
参考文献第60-69页
攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果第69-70页
致谢第70页

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