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基于FPGA的星载RAM抗SEU的研究与设计

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·课题背景第9-10页
   ·单粒子翻转效应的研究第10-13页
     ·历史回顾第10-12页
     ·国内外研究现状第12-13页
   ·论文内容的安排及研究的意义第13页
   ·论文结构第13-15页
第二章 SEU 及抗SEU 方法研究第15-25页
   ·空间辐射环境第15-16页
     ·宇宙射线第15-16页
     ·地球辐射带第16页
   ·各种辐射效应第16-19页
     ·总剂量效应第17页
     ·单粒子效应第17-19页
   ·单粒子翻转效应的产生机制第19-21页
     ·电荷淀积第19-21页
     ·电荷收集第21页
   ·抗单粒子翻转效应方法研究第21-23页
     ·抗单粒子翻转效应方法第21-22页
     ·从设计角度抗单粒子翻转效应的方法第22-23页
   ·本章小结第23-25页
第三章 扩展汉明码与 TMR 技术第25-41页
   ·差错控制编码第25-31页
     ·差错控制编码的基本原理第25-26页
     ·差错控制编码的基本概念第26-30页
     ·差错控制编码的选择第30-31页
   ·扩展汉明码检错与纠错原理第31-39页
     ·线性分组码第31-35页
     ·扩展汉明码检错与纠错方法第35-39页
   ·TMR 技术第39-40页
   ·本章小结第40-41页
第四章 ACTEL FPGA 设计介绍第41-46页
   ·Actel FPGA第41-43页
     ·Actel FPGA 的优势第41-42页
     ·ProAsic3 系列的特点第42-43页
   ·Actel 公司FPGA 开发工具介绍第43-45页
     ·仿真工具第43-44页
     ·综合工具第44页
     ·布局布线工具第44-45页
   ·本章小结第45-46页
第五章 抗 SEU 纠错电路的 FPGA 实现第46-67页
   ·设计思想第46-49页
     ·存储器配置方案第46-47页
     ·抗 SEU 纠错电路的系统框图第47-49页
     ·抗 SEU 纠错电路的特点第49页
   ·纠错电路各功能模块的设计第49-59页
     ·TMR 模块设计第50-53页
     ·扩展汉明码模块设计第53-57页
     ·总体电路设计第57-59页
   ·电路综合与仿真第59-66页
     ·电路仿真第59-65页
     ·电路综合第65-66页
   ·本章小结第66-67页
第六章 抗 SEU 纠错电路的验证第67-82页
   ·容错设计的可靠性验证第67-68页
   ·验证电路的设计第68-81页
     ·电路框图第68页
     ·DSP 最小系统的设计第68-75页
     ·FPGA 最小系统设计第75-78页
     ·总体电路实现第78-81页
   ·本章小结第81-82页
第七章 全文总结与展望第82-83页
   ·总结第82页
   ·展望第82-83页
致谢第83-84页
参考文献第84-86页
攻硕期间取得的研究成果第86-87页

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