| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 纳米材料 | 第10-15页 |
| 1.1.1 纳米材料的基本概念 | 第10页 |
| 1.1.2 纳米结构单元 | 第10-11页 |
| 1.1.3 纳米材料的基本理论 | 第11-12页 |
| 1.1.4 纳米材料的特性 | 第12-13页 |
| 1.1.5 纳米材料的制备方法 | 第13-14页 |
| 1.1.6 纳米材料的应用 | 第14-15页 |
| 1.2 SiC 半导体材料 | 第15-21页 |
| 1.2.1 半导体材料的基本概念 | 第15-16页 |
| 1.2.2 SiC 半导体材料的结构 | 第16-19页 |
| 1.2.3 SiC 半导体材料的性质和应用 | 第19-21页 |
| 1.3 SiC 纳米线 | 第21-25页 |
| 1.3.1 SiC 纳米线的性能及其应用 | 第21-22页 |
| 1.3.2 SiC 纳米线的制备方法 | 第22-25页 |
| 1.4 本论文选题背景及研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 实验方法 | 第26-35页 |
| 2.1 SiC 纳米线的生长机制 | 第26-28页 |
| 2.1.1 Si/SiO_2 纳米线的“氧协助团簇-固体”生长机制 | 第26-27页 |
| 2.1.2 SiC 纳米线的生长机制 | 第27-28页 |
| 2.2 SiC 纳米线的制备方法 | 第28-31页 |
| 2.2.1 实验装置 | 第28-29页 |
| 2.2.2 竖直坩埚合成工艺 | 第29-30页 |
| 2.2.3 水平坩埚合成工艺 | 第30-31页 |
| 2.3 SiC 纳米线的表征方法 | 第31-35页 |
| 2.3.1 X 射线衍射（XRD） | 第31-32页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第32-33页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜（TEM） | 第33-35页 |
| 第三章 竖直坩埚合成工艺制备SiC 纳米线 | 第35-45页 |
| 3.1 实验过程 | 第35-36页 |
| 3.1.1 实验设备、材料 | 第35页 |
| 3.1.2 实验步骤 | 第35-36页 |
| 3.2 实验结果与分析 | 第36-42页 |
| 3.2.1 X 射线衍射分析（XRD） | 第37-39页 |
| 3.2.2 扫描电子显微镜分析（SEM） | 第39-40页 |
| 3.2.3 能谱分析（EDX） | 第40页 |
| 3.2.4 透射电子显微镜分析（TEM） | 第40-41页 |
| 3.2.5 SiC 纳米线的生长过程分析 | 第41-42页 |
| 3.3 反应温度分析 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 水平坩埚合成工艺制备SiC 纳米线 | 第45-60页 |
| 4.1 实验过程 | 第45-48页 |
| 4.1.1 实验设备、材料 | 第45页 |
| 4.1.2 实验步骤 | 第45-46页 |
| 4.1.3 实验分类（根据反应原料不同） | 第46-48页 |
| 4.2 实验结果与分析 | 第48-55页 |
| 4.2.1 X 射线衍射分析（XRD） | 第48-50页 |
| 4.2.2 SEM 和EDX 分析 | 第50-52页 |
| 4.2.3 透射电子显微镜分析（TEM） | 第52-54页 |
| 4.2.4 SiC 纳米线的生长过程分析 | 第54-55页 |
| 4.3 反应中生成的其他产物 | 第55-59页 |
| 4.3.1 碳纳米管（CNT） | 第55-56页 |
| 4.3.2 硅纳米线（Si） | 第56-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 SiC 纳米线的性能研究 | 第60-67页 |
| 5.1 Zeta 电位 | 第60-61页 |
| 5.2 SIC 纳米线电学特性 | 第61-66页 |
| 5.2.1 微电极MEMS 器件的制备 | 第61-62页 |
| 5.2.2 介电泳方法搭载SiC 纳米线 | 第62-63页 |
| 5.2.3 SEM 观察微电极上的SiC 纳米线 | 第63-64页 |
| 5.2.4 电学性能测试 | 第64-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 全文总结 | 第67-68页 |
| 6.2 创新点 | 第68页 |
| 6.3 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第75-77页 |