| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·光刻技术的现状和发展方向 | 第9-12页 |
| ·现代光学技术 | 第9-10页 |
| ·传统光学光刻的极限及下一代光刻技术 | 第10-12页 |
| ·论文的主要工作 | 第12-14页 |
| ·小结 | 第14-15页 |
| 第二章 佳能 PLA-501 光刻机的研究 | 第15-36页 |
| ·简述 | 第15-16页 |
| ·佳能 PLA-501 光刻机的简单介绍 | 第16-19页 |
| ·光源 | 第17页 |
| ·套刻精度 | 第17-18页 |
| ·自动传片装置 | 第18页 |
| ·间隙机构 | 第18-19页 |
| ·佳能 PLA-501 光刻机光路部分 | 第19-27页 |
| ·光路原理 | 第19-20页 |
| ·到达掩膜版的部分相干光的分析 | 第20-24页 |
| ·数值的计算机模拟结果与实验验证 | 第24-27页 |
| ·小结 | 第27页 |
| ·佳能 PLA-501 光刻机 GAP 平台的研究 | 第27-35页 |
| ·间隙机构工作原理 | 第27-28页 |
| ·间隙机构完成间隙设定的过程 | 第28-31页 |
| ·间隙机构的间隙设定误差分析 | 第31-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 基于佳能 PLA-501 的接近式曝光的计算机辅助分析 | 第36-48页 |
| ·影响曝光后图形线宽的因素 | 第36-38页 |
| ·曝光能量与线宽之间的关系 | 第36-37页 |
| ·间隙变化与线宽之间的关系 | 第37页 |
| ·接近间隙量与光刻分辨率 | 第37-38页 |
| ·负性光刻胶的性能 | 第38-40页 |
| ·光刻胶与曝光量 | 第38-39页 |
| ·显影之后的变化 | 第39页 |
| ·弱曝光情况下求解、分析 | 第39-40页 |
| ·对光刻线宽影响因素的实验及分析 | 第40-47页 |
| ·曝光间隙对曝光之后线宽的影响 | 第41-42页 |
| ·影响接近式曝光线宽的其他因素 | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 设备改进以及工艺优化 | 第48-59页 |
| ·针对佳能 PLA-501 光刻机的改进 | 第48-56页 |
| ·光路方面的调整 | 第48-51页 |
| ·间隙机构的重复性的保证 | 第51-54页 |
| ·胶厚分布不均匀的改善 | 第54-56页 |
| ·接近式曝光工艺控制的改进及工艺优化 | 第56-58页 |
| ·工艺控制的改进 | 第56-57页 |
| ·接近式曝光工艺的优化 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结和展望 | 第59-61页 |
| ·本论文的研究总结 | 第59-60页 |
| ·前景展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第64-65页 |