| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-43页 |
| 1.1 金属辅助化学刻蚀法的基本原理 | 第14-16页 |
| 1.2 金属辅助化学刻蚀法的可控性 | 第16-26页 |
| 1.2.1 刻蚀时间和温度 | 第16-17页 |
| 1.2.2 氧化剂的种类和浓度 | 第17-20页 |
| 1.2.3 硅片掺杂浓度与类型 | 第20-22页 |
| 1.2.4 模板法 | 第22-26页 |
| 1.3 硅纳米线的物理特性 | 第26-32页 |
| 1.3.1 光吸收特性 | 第26-28页 |
| 1.3.2 光致发光(PL)特性 | 第28-30页 |
| 1.3.3 电学特性 | 第30-32页 |
| 1.4 硅纳米线与银纳米颗粒的复合 | 第32-40页 |
| 1.4.1 太阳能电池 | 第33-35页 |
| 1.4.2 SERS衬底 | 第35-39页 |
| 1.4.3 光电化学电池 | 第39-40页 |
| 1.5 本文主要研究内容和创新点 | 第40-43页 |
| 第二章 硅纳米线表面银纳米颗粒的外延生长 | 第43-55页 |
| 摘要 | 第43页 |
| 2.1 引言 | 第43-44页 |
| 2.2 实验流程 | 第44-45页 |
| 2.3 硅线表面外延生长的银纳米颗粒的形貌和晶体结构 | 第45-46页 |
| 2.4 退火温度对硅线表面外延生长银纳米颗粒的影响 | 第46-51页 |
| 2.5 硅线表面外延生长银纳米颗粒的机理 | 第51-54页 |
| 2.5.1 氧气引起的银表面迁移 | 第51页 |
| 2.5.2 Ag团簇在硅纳米线表面的成核 | 第51-52页 |
| 2.5.3 银团簇继续生长为银纳米颗粒 | 第52-54页 |
| 2.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第三章 硅纳米线表面粗糙度对银纳米颗粒外延生长的影响 | 第55-61页 |
| 摘要 | 第55页 |
| 3.1 引言 | 第55页 |
| 3.2 实验流程 | 第55-56页 |
| 3.3 退火后硅纳米线的形貌 | 第56-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 短硅纳米线及硅片表面银纳米颗粒的外延生长 | 第61-71页 |
| 摘要 | 第61页 |
| 4.1 引言 | 第61页 |
| 4.2 实验流程 | 第61-62页 |
| 4.3 退火后的硅线形貌 | 第62-65页 |
| 4.4 最初刻蚀阶段的可能机理 | 第65-66页 |
| 4.5 硅片表面银纳米颗粒的外延生长 | 第66-70页 |
| 4.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 三维表面增强拉曼散射衬底 | 第71-83页 |
| 摘要 | 第71页 |
| 5.1 引言 | 第71-72页 |
| 5.2 实验流程 | 第72-73页 |
| 5.2.1 硅纳米线的制备 | 第72页 |
| 5.2.2 3D-SERS衬底的制作和准备 | 第72-73页 |
| 5.3 SERS衬底的形貌 | 第73-75页 |
| 5.4 银纳米颗粒外SiO_2层厚度对拉曼信号强度的影响 | 第75-77页 |
| 5.5 退火时间对衬底拉曼信号强度的影响 | 第77-78页 |
| 5.6 3D-SERS衬底的稳定性 | 第78-81页 |
| 5.7 3D-SERS衬底的均匀度和可重复性 | 第81-82页 |
| 5.8 本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 增强型宽频光抗反射SiO_2@AgNPs@p-SiNMs复合结构 | 第83-93页 |
| 摘要 | 第83页 |
| 6.1 引言 | 第83-84页 |
| 6.2 实验流程 | 第84页 |
| 6.3 SiO_2@AgNPs@p-SiNWs复合结构的形貌 | 第84-86页 |
| 6.4 SiO_2@AgNPs@p-SiNWs复合结构反射率随退火时间的变化 | 第86-87页 |
| 6.5 复合结构各部分对光抗反射特性的贡献 | 第87-90页 |
| 6.6 散射截面的计算 | 第90页 |
| 6.7 硅纳米线的长度对光反射性能的影响 | 第90-91页 |
| 6.8 本章小结 | 第91-93页 |
| 第七章 总结 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-107页 |
| 致谢 | 第107-109页 |
| 个人简历 | 第109-111页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第111-112页 |
