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新型拓扑绝缘体—二维铅材料的第一性原理计算研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-21页
    1.1 引言第9页
    1.2 霍尔效应及其量子化第9-12页
        1.2.1 霍尔效应第9-10页
        1.2.2 量子霍尔效应第10-12页
    1.3 拓扑序第12-13页
    1.4 量子自旋霍尔效应和拓扑绝缘体第13-21页
        1.4.1 量子自旋霍尔效应第13-14页
        1.4.2 Z_2拓扑不变量第14-15页
        1.4.3 二维拓扑绝缘体第15-17页
        1.4.4 从二维拓扑绝缘体到三维拓扑绝缘体第17-21页
第二章 计算方法概述第21-33页
    2.1 密度泛函理论第21-26页
        2.1.1 多粒子体系的薛定谔方程第21-22页
        2.1.2 Born-Oppenheimer近似第22页
        2.1.3 Thomas-Fermi模型第22-23页
        2.1.4 Hohenberg-Kohn理论第23页
        2.1.5 Kohn-Sham方程第23-26页
    2.2 电子交换关联泛函第26-29页
        2.2.1 局域密度近似(LDA)第26-27页
        2.2.2 广义梯度近似(GGA)第27-28页
        2.2.3 杂化密度泛函第28-29页
    2.3 赝势方法第29-31页
        2.3.1 模守恒赝势第29-30页
        2.3.2 超软赝势第30-31页
        2.3.3 投影缀加波赝势第31页
    2.4 常用软件介绍第31-33页
第三章 二维蜂窝状单层铅结构材料的拓扑性质及化学官能团的影响第33-43页
    3.1 引言第33页
    3.2 计算方法第33-34页
    3.3 计算结果和讨论第34-42页
    3.4 本章小结第42-43页
第四章 应力和衬底对二维蜂窝状单层铅结构材料能带的影响及铅体系的纳米带和边缘态第43-49页
    4.1 引言第43页
    4.2 计算方法第43页
    4.3 计算结果和讨论第43-48页
    4.4 小结第48-49页
第五章 总结与展望第49-51页
    5.1 总结第49页
    5.2 展望第49-51页
参考文献第51-55页
致谢第55-57页
个人简介第57-59页
攻读硕士学位期间发表的论文与取得的其它研究成果第59页

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