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强磁场下氧化法生长ZnO薄膜结构演化及其对性能的影响

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪言第11-23页
    1.1 ZnO薄膜的应用第11-15页
        1.1.1 气敏传感器第12页
        1.1.2 短波长发光器件第12-13页
        1.1.3 透明导电薄膜第13页
        1.1.4 压电器件第13-14页
        1.1.5 压敏器件第14页
        1.1.6 ZnO的掺杂第14-15页
        1.1.7 ZnO薄膜的其它应用第15页
    1.2 ZnO薄膜的制备第15-19页
        1.2.1 分子束外延法第16页
        1.2.2 化学气相沉积法第16-17页
        1.2.3 脉冲激光沉积法第17页
        1.2.4 溅射法第17-18页
        1.2.5 溶胶凝胶法第18页
        1.2.6 喷雾热分解法第18页
        1.2.7 薄膜氧化法第18-19页
    1.3 ZnO薄膜制备过程中存在的问题第19页
    1.4 本文的制备方法第19-20页
    1.5 强磁场在材料制备过程中的作用第20-21页
    1.6 本文的研究内容及意义第21-23页
第2章 ZnO薄膜的制备及表征第23-33页
    2.1 实验装置简介第23-25页
        2.1.1 分子束气相沉积装置第23-24页
        2.1.2 超导强磁体与热处理炉第24-25页
    2.2 实验方案第25-27页
    2.3 实验步骤第27-29页
        2.3.1 Zn薄膜的制备第27-28页
        2.3.2 ZnO的氧化生长第28-29页
    2.4 样品表征手段第29-33页
        2.4.1 扫描电子显微镜(SEM)第29页
        2.4.2 X射线衍射仪(XRD)第29-30页
        2.4.3 原子力显微镜(AFM)第30页
        2.4.4 振动样品磁强计(VSM)第30-31页
        2.4.5 变温电阻测试第31页
        2.4.6 紫外可见分光光度计第31-33页
第3章 Zn颗粒在不同磁场下的氧化生长第33-36页
    3.1 表面形貌第33-34页
    3.2 物相结构第34-36页
第4章 ZnO薄膜在不同磁场下的氧化生长第36-63页
    4.1 氧化温度对ZnO薄膜结构和性能的影响第36-47页
        4.1.1 引言第36页
        4.1.2 薄膜厚度第36-37页
        4.1.3 薄膜表面形貌第37-39页
        4.1.4 表面粗糙度第39-42页
        4.1.5 薄膜物相结构第42页
        4.1.6 薄膜光学性能第42-46页
        4.1.7 本节小结第46-47页
    4.2 氧化时间对ZnO薄膜结构和性能的影响第47-56页
        4.2.1 引言第47页
        4.2.2 薄膜表面形貌第47-49页
        4.2.3 表面粗糙度第49-51页
        4.2.4 薄膜物相结构第51-52页
        4.2.5 薄膜光学性能第52-56页
        4.2.6 本节小结第56页
    4.3 薄膜厚度对ZnO薄膜结构和性能的影响第56-63页
        4.3.1 引言第56-57页
        4.3.2 薄膜厚度与表面形貌第57-58页
        4.3.3 薄膜物相结构第58-59页
        4.3.4 薄膜光学性能第59-62页
        4.3.5 本节小结第62-63页
第5章 不同磁场强度对ZnO薄膜结构和性能的影响第63-71页
    5.1 引言第63页
    5.2 薄膜表面形貌第63-64页
    5.3 表面粗糙度第64-66页
    5.4 薄膜物相结构第66页
    5.5 薄膜电性能第66-68页
    5.6 薄膜磁性能第68页
    5.7 薄膜光性能第68-70页
    5.8 本章小结第70-71页
第6章 结论与展望第71-73页
    6.1 主要结论第71页
    6.2 工作展望第71-73页
参考文献第73-78页
致谢第78-79页
个人简历第79页

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