强磁场下氧化法生长ZnO薄膜结构演化及其对性能的影响
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪言 | 第11-23页 |
1.1 ZnO薄膜的应用 | 第11-15页 |
1.1.1 气敏传感器 | 第12页 |
1.1.2 短波长发光器件 | 第12-13页 |
1.1.3 透明导电薄膜 | 第13页 |
1.1.4 压电器件 | 第13-14页 |
1.1.5 压敏器件 | 第14页 |
1.1.6 ZnO的掺杂 | 第14-15页 |
1.1.7 ZnO薄膜的其它应用 | 第15页 |
1.2 ZnO薄膜的制备 | 第15-19页 |
1.2.1 分子束外延法 | 第16页 |
1.2.2 化学气相沉积法 | 第16-17页 |
1.2.3 脉冲激光沉积法 | 第17页 |
1.2.4 溅射法 | 第17-18页 |
1.2.5 溶胶凝胶法 | 第18页 |
1.2.6 喷雾热分解法 | 第18页 |
1.2.7 薄膜氧化法 | 第18-19页 |
1.3 ZnO薄膜制备过程中存在的问题 | 第19页 |
1.4 本文的制备方法 | 第19-20页 |
1.5 强磁场在材料制备过程中的作用 | 第20-21页 |
1.6 本文的研究内容及意义 | 第21-23页 |
第2章 ZnO薄膜的制备及表征 | 第23-33页 |
2.1 实验装置简介 | 第23-25页 |
2.1.1 分子束气相沉积装置 | 第23-24页 |
2.1.2 超导强磁体与热处理炉 | 第24-25页 |
2.2 实验方案 | 第25-27页 |
2.3 实验步骤 | 第27-29页 |
2.3.1 Zn薄膜的制备 | 第27-28页 |
2.3.2 ZnO的氧化生长 | 第28-29页 |
2.4 样品表征手段 | 第29-33页 |
2.4.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第29页 |
2.4.2 X射线衍射仪(XRD) | 第29-30页 |
2.4.3 原子力显微镜(AFM) | 第30页 |
2.4.4 振动样品磁强计(VSM) | 第30-31页 |
2.4.5 变温电阻测试 | 第31页 |
2.4.6 紫外可见分光光度计 | 第31-33页 |
第3章 Zn颗粒在不同磁场下的氧化生长 | 第33-36页 |
3.1 表面形貌 | 第33-34页 |
3.2 物相结构 | 第34-36页 |
第4章 ZnO薄膜在不同磁场下的氧化生长 | 第36-63页 |
4.1 氧化温度对ZnO薄膜结构和性能的影响 | 第36-47页 |
4.1.1 引言 | 第36页 |
4.1.2 薄膜厚度 | 第36-37页 |
4.1.3 薄膜表面形貌 | 第37-39页 |
4.1.4 表面粗糙度 | 第39-42页 |
4.1.5 薄膜物相结构 | 第42页 |
4.1.6 薄膜光学性能 | 第42-46页 |
4.1.7 本节小结 | 第46-47页 |
4.2 氧化时间对ZnO薄膜结构和性能的影响 | 第47-56页 |
4.2.1 引言 | 第47页 |
4.2.2 薄膜表面形貌 | 第47-49页 |
4.2.3 表面粗糙度 | 第49-51页 |
4.2.4 薄膜物相结构 | 第51-52页 |
4.2.5 薄膜光学性能 | 第52-56页 |
4.2.6 本节小结 | 第56页 |
4.3 薄膜厚度对ZnO薄膜结构和性能的影响 | 第56-63页 |
4.3.1 引言 | 第56-57页 |
4.3.2 薄膜厚度与表面形貌 | 第57-58页 |
4.3.3 薄膜物相结构 | 第58-59页 |
4.3.4 薄膜光学性能 | 第59-62页 |
4.3.5 本节小结 | 第62-63页 |
第5章 不同磁场强度对ZnO薄膜结构和性能的影响 | 第63-71页 |
5.1 引言 | 第63页 |
5.2 薄膜表面形貌 | 第63-64页 |
5.3 表面粗糙度 | 第64-66页 |
5.4 薄膜物相结构 | 第66页 |
5.5 薄膜电性能 | 第66-68页 |
5.6 薄膜磁性能 | 第68页 |
5.7 薄膜光性能 | 第68-70页 |
5.8 本章小结 | 第70-71页 |
第6章 结论与展望 | 第71-73页 |
6.1 主要结论 | 第71页 |
6.2 工作展望 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-78页 |
致谢 | 第78-79页 |
个人简历 | 第79页 |