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光波导阵列电光扫描系统光利用率的研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-13页
缩略词第13-16页
第一章 绪论第16-20页
    1.1 研究背景及意义第16-17页
    1.2 国内外研究现状第17-18页
    1.3 研究内容与结构安排第18-20页
第二章 光波导阵列电光扫描系统光利用率分析第20-30页
    2.1 光波导阵列电光扫描系统的工作原理第20-21页
    2.2 光波导阵列电光扫描系统的光利用率第21-24页
        2.2.1 光波导阵列的耦合效率第21-22页
        2.2.2 光波导阵列芯片的光利用率第22-23页
        2.2.3 扫描系统的透过率与光利用率第23-24页
    2.3 扫描系统光利用率的实验研究第24-27页
        2.3.1 实验系统第24页
        2.3.2 测量扫描系统光利用率的方法第24-26页
        2.3.3 实验测量结果及分析第26-27页
    2.4 本章小结第27-30页
第三章 单模光纤-光波导阵列耦合研究第30-40页
    3.1 单模光纤-光波导阵列的耦合损耗第30-32页
        3.1.1 模场失配损耗第30页
        3.1.2 对准偏差损耗第30-31页
        3.1.3 菲涅尔反射损耗第31-32页
    3.2 光耦合方式的分类第32-33页
        3.2.1 直接耦合系统第32-33页
        3.2.2 间接耦合系统第33页
    3.3 模拟研究耦合效率的方法第33-36页
        3.3.1 模拟软件简介第33-34页
        3.3.2 基本耦合模型第34-35页
        3.3.3 模型耦合效率的分析第35-36页
    3.4 提高耦合效率的模拟研究第36-39页
        3.4.1 平端光纤直接耦合第36页
        3.4.2 球面微透镜直接耦合第36-37页
        3.4.3 单球透镜间接耦合第37-38页
        3.4.4 自聚焦透镜耦合第38-39页
    3.5 本章小结第39-40页
第四章 光波导阵列芯片光利用率的研究第40-56页
    4.1 影响光波导阵列芯片利用率的因素第40-42页
        4.1.1 光波导阵列的模式泄漏第40-41页
        4.1.2 光波导阵列芯片的材料吸收第41-42页
    4.2 芯片参数与其光利用率的研究第42-48页
        4.2.1 第一包层厚度与泄漏损耗的关系第43-44页
        4.2.2 芯层消光系数与吸收损耗的关系第44-45页
        4.2.3 包层消光系数与吸收损耗的关系第45-46页
        4.2.4 衬底消光系数与吸收损耗的关系第46-47页
        4.2.5 各介质消光系数的估计值第47-48页
    4.3 提高光波导阵列芯片光利用率的研究第48-51页
        4.3.1 减少泄漏损耗的方法第48-50页
        4.3.2 减小吸收损耗的方法第50-51页
    4.4 光波导阵列芯片光利用率与扫描光场第51-55页
        4.4.1 隔离层对远场分布的影响第52-53页
        4.4.2 吸收层对远场分布的影响第53-54页
        4.4.3 过渡层对远场分布的影响第54-55页
    4.5 本章小结第55-56页
第五章 总结与展望第56-58页
参考文献第58-60页
致谢第60-62页
作者简介第62-63页

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