| 中文摘要 | 第4-5页 |
| 英文摘要 | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 阻变式随机存储器(RRAM)简介 | 第7-9页 |
| 1.2 阻变式随机存储器(RRAM)导电细丝模型机制 | 第9-13页 |
| 1.2.1 金属阳离子迁移的导电细丝模型 | 第10-11页 |
| 1.2.2 氧离子迁移的导电细丝模型 | 第11-13页 |
| 1.3 阻变式随机存储器（RRAM）集成应用 | 第13-15页 |
| 1.4 阻变式随机存储器研究进展 | 第15-17页 |
| 1.5 本论文主要研究工作及意义 | 第17-18页 |
| 第二章 阻变式随机存储器的制备及表征 | 第18-31页 |
| 2.1 光刻方法制备阻变式随机存储器电极 | 第18-28页 |
| 2.1.1 光刻工艺简介 | 第18-24页 |
| 2.1.2 不同曝光时间及显影时间对阻变式随机存储器电极制备的影响 | 第24-25页 |
| 2.1.3 阻变式随机存储器顶电极的制备步骤及表征 | 第25-28页 |
| 2.2 Crossbar结构的Ag/ZnS/Au器件制备过程 | 第28-29页 |
| 2.3 ZnS薄膜的制备及表征 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 不同电极尺寸对阻变性能影响及阻变式随机存储器的集成研究 | 第31-43页 |
| 3.1 不同电极尺寸对Ag/ZnS/ITO存储器阻变性能的影响 | 第31-37页 |
| 3.1.1 不同电极尺寸对Ag/ZnS/ITO存储器初始电阻、开关比的影响 | 第31-34页 |
| 3.1.2 不同电极尺寸对Ag/ZnS/ITO存储器关闭电流、转换电压的影响 | 第34-35页 |
| 3.1.3 限制电流对不同电极尺寸的Ag/ZnS/ITO存储器的影响 | 第35-36页 |
| 3.1.4 Ag/ZnS/ITO存储器的阻变机制 | 第36-37页 |
| 3.2 不同电极尺寸对Pt/Ta2O5/ITO存储器阻变性能的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.1 不同电极尺寸对Pt/Ta2O5/ITO存储器初始电阻、开关比的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.2 Pt/Ta2O5/ITO存储器的阻变机制 | 第38-39页 |
| 3.3 Ag/ZnS/Au存储器的集成 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
