摘要 | 第2-3页 |
ABSTRACT | 第3页 |
第一章 引言 | 第6-14页 |
1.1 稀土钙氧硼酸盐晶体概述 | 第7-9页 |
1.2 掺Yb稀土钙氧硼酸盐晶体的研究历史回顾 | 第9-11页 |
1.3 学位论文工作及主要创新点 | 第11-14页 |
第二章 Yb:ReCOB晶体的高功率连续波激光特性 | 第14-34页 |
2.1 发射波长 1085 nm的连续波激光特性 | 第15-23页 |
2.1.1 Yb:YCOB晶体 | 第15-18页 |
2.1.2 Yb_(0.14):Y_(0.77)Gd_(0.09)Ca_4O(BO_3)_3 晶体 | 第18-22页 |
2.1.3 Yb:Re COB晶体 1085 nm的连续波激光特性比较 | 第22-23页 |
2.2 主发射带的连续波激光特性 | 第23-32页 |
2.2.1 Yb:YCOB晶体 | 第23-26页 |
2.2.2 Yb:GdCOB晶体 | 第26-28页 |
2.2.3 Yb_(0.14):Y_(0.77)Gd_(0.09)Ca_4O(BO_3)_3 晶体 | 第28-31页 |
2.2.4 Yb:Re COB晶体主发射带内的连续波激光特性比较 | 第31-32页 |
2.3 本章总结 | 第32-34页 |
第三章 Yb:ReCOB晶体的被动调Q脉冲激光特性——以Cr~(4+):YAG晶体为可饱和吸收体 | 第34-44页 |
3.1 Yb:YCOB晶体 | 第34-37页 |
3.2 Yb:GdCOB晶体 | 第37-41页 |
3.3 Yb:YCOB、Yb:GdCOB晶体被动调Q脉冲激光特性的比较 | 第41-42页 |
3.4 本章总结 | 第42-44页 |
第四章 Yb:ReCOB晶体的被动调Q脉冲激光特性——以GaAs晶体为可饱和吸收体 | 第44-64页 |
4.1 GaAs晶体在 1-mm波段的可饱和吸收机制 | 第44-45页 |
4.2 高平均功率被动调Q激光特性 | 第45-54页 |
4.2.1 Yb:YCOB晶体 | 第46-50页 |
4.2.2 Yb:GdCOB晶体 | 第50-53页 |
4.2.3 Yb:ReCOB晶体高功率被动调Q脉冲激光特性的比较 | 第53-54页 |
4.3 高脉冲能量被动调Q激光特性 | 第54-62页 |
4.3.1 Yb:GdCOB晶体 | 第55-60页 |
4.3.2 Yb:YCOB晶体 | 第60-61页 |
4.3.3 Yb:ReCOB晶体高能量被动调Q脉冲激光特性的比较 | 第61-62页 |
4.4 本章总结 | 第62-64页 |
第五章 Yb:ReCOB晶体的声光调Q脉冲激光特性 | 第64-80页 |
5.1 Yb:YCOB晶体 | 第65-72页 |
5.1.1 低rf功率声光Q开关所产生的主动调Q激光运转 | 第65-68页 |
5.1.2 高rf功率声光Q开关所产生的主动调Q激光运转 | 第68-72页 |
5.2 Yb:GdCOB晶体 | 第72-75页 |
5.3 Yb:GdCOB晶体声光调Q脉冲激光参数的理论计算 | 第75-77页 |
5.4 本章总结 | 第77-80页 |
第六章 总结与展望 | 第80-84页 |
6.1 高功率连续波激光特性 | 第80-81页 |
6.2 以Cr~(4+):YAG为可饱和吸收体的被动调Q脉冲激光特性 | 第81-82页 |
6.3 以GaAs为可饱和吸收体的被动调Q脉冲激光特性 | 第82-83页 |
6.4 声光调Q脉冲激光特性 | 第83-84页 |
参考文献 | 第84-90页 |
攻读硕士学位期间发表的SCI收录论文目录 | 第90-92页 |
攻读硕士学位期间获得的科研奖励 | 第92-94页 |
致谢 | 第94-96页 |