非晶In-Ga-Zn-O肖特基二极管性能的研究
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| §1.1 金属氧化物半导体 | 第11-12页 |
| §1.2 非晶IGZO的性质 | 第12-14页 |
| §1.3 研究课题的选取 | 第14-16页 |
| 第二章 金属半导体接触 | 第16-27页 |
| §2.1 肖特基二极管原理 | 第16-22页 |
| 2.1.1 势垒的形成 | 第16-17页 |
| 2.1.2 界面态 | 第17-18页 |
| 2.1.3 电流传输机制 | 第18-20页 |
| 2.1.4 结电容 | 第20-21页 |
| 2.1.5 结击穿 | 第21页 |
| 2.1.6 欧姆接触 | 第21-22页 |
| §2.2 肖特基二极管参数提取 | 第22-27页 |
| 2.2.1 理想因子与势垒高度 | 第22-23页 |
| 2.2.2 串联电阻 | 第23-25页 |
| 2.2.3 杂质分布 | 第25-27页 |
| 第三章 IGZO基肖特基二极管制备工艺 | 第27-37页 |
| §3.1 衬底清洗 | 第27-28页 |
| §3.2 电子束蒸发设备 | 第28-30页 |
| §3.3 射频磁控溅射设备 | 第30-31页 |
| §3.4 NOVA NanoSEM 450 | 第31-34页 |
| §3.5 样品制备 | 第34-37页 |
| 第四章 IGZO基肖特基二极管 | 第37-49页 |
| §4.1 阳极金属的影响 | 第38-39页 |
| §4.2 射频功率的影响 | 第39-40页 |
| §4.3 氧浓度的影响 | 第40-42页 |
| §4.4 厚度的影响 | 第42-45页 |
| §4.5 击穿电压 | 第45-49页 |
| 第五章 总结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 附件 | 第54页 |
