硅基二维量子材料的第一性原理设计
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-32页 |
| 1.1 二维单质材料 | 第12-16页 |
| 1.1.1 IV族：碳、硅、锗、锡 | 第12-14页 |
| 1.1.2 III族：硼 | 第14-15页 |
| 1.1.3 V族：磷 | 第15-16页 |
| 1.2 硅烯 | 第16-28页 |
| 1.2.1 单层硅烯的理论预测 | 第16-20页 |
| 1.2.2 单层硅烯的实验进展 | 第20-25页 |
| 1.2.3 多层硅烯的研究进展 | 第25-28页 |
| 1.3 拓扑绝缘体 | 第28-29页 |
| 1.4 本论文选题及论文结构 | 第29-32页 |
| 第二章 理论研究方法 | 第32-40页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第32-37页 |
| 2.1.1 多粒子体系的薛定谔方程 | 第32-33页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第33-35页 |
| 2.1.3 交换关联泛函 | 第35-36页 |
| 2.1.4 平面波赝势方法 | 第36-37页 |
| 2.2 过渡态搜索 | 第37-40页 |
| 2.2.1 NEB过渡态搜索方法 | 第37-38页 |
| 2.2.2 CI-NEB过渡态搜索方法 | 第38-40页 |
| 第三章 多层硅烯的结构与物性 | 第40-58页 |
| 3.1 研究背景 | 第40页 |
| 3.2 双层硅烯 | 第40-48页 |
| 3.2.1 构型搜索 | 第41-45页 |
| 3.2.2 构型的相互转变 | 第45-46页 |
| 3.2.3 电子性质 | 第46-48页 |
| 3.3 多层硅烯 | 第48-56页 |
| 3.3.1 外延生长的多层硅烯 | 第48-51页 |
| 3.3.2 独立的多层硅烯 | 第51-52页 |
| 3.3.3 多层硅烯的稳定性和相变 | 第52-54页 |
| 3.3.4 电子性质分析及讨论 | 第54-56页 |
| 3.4 小结 | 第56-58页 |
| 第四章 本征硅表面的磁性与拓扑性质 | 第58-68页 |
| 4.1 研究背景 | 第58页 |
| 4.2 Si(111)-√3表面 | 第58-60页 |
| 4.3 表面磁性和机制分析 | 第60-63页 |
| 4.4 表面拓扑性质 | 第63-65页 |
| 4.5 衬底作用和表面态保护 | 第65-67页 |
| 4.6 小结 | 第67-68页 |
| 第五章 大能隙硅基拓扑材料的设计 | 第68-82页 |
| 5.1 研究背景 | 第68页 |
| 5.2 硅烯的氢化和卤化的研究进展 | 第68-71页 |
| 5.2.1 氢化硅的理论研究 | 第69页 |
| 5.2.2 硅烯氢化和卤化的实验进展 | 第69-71页 |
| 5.3 卤化硅的构型和稳定性 | 第71-74页 |
| 5.4 电子性质的应力调制 | 第74-80页 |
| 5.5 应力途径讨论 | 第80-81页 |
| 5.6 小结 | 第81-82页 |
| 第六章 论文总结与展望 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-102页 |
| 个人简历 | 第102-103页 |
| 发表文章目录 | 第103-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
