| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 低维材料世界中的奇异特性 | 第10-13页 |
| 1.1.1 二维电子体系的特性及实例 | 第10-12页 |
| 1.1.2 一维电子体系及实例 | 第12-13页 |
| 1.2 类石墨烯二维原子晶体材料的特性及发展 | 第13-21页 |
| 1.2.1 Ⅳ族类石墨烯材料的理论预言和实验研究 | 第14-18页 |
| 1.2.2 Ⅲ族类石墨烯材料的理论预言和实验研究 | 第18-19页 |
| 1.2.3 Ⅴ族类石墨烯材料的理论预言和实验研究 | 第19-21页 |
| 1.3 过渡金属二硫属化合物的研究介绍 | 第21-28页 |
| 1.3.1 过渡金属二硫属化合物的晶格结构 | 第22-23页 |
| 1.3.2 过渡金属二硫属化合物的能带结构 | 第23-24页 |
| 1.3.3 过渡金属二硫属化合物的边界研究 | 第24-25页 |
| 1.3.4 过渡金属二硫属化合物的应用领域 | 第25-27页 |
| 1.3.5 过渡金属二硫属化合物薄膜的制备方法 | 第27-28页 |
| 1.4 二维材料异质结介绍 | 第28-30页 |
| 1.5 本论文的研究内容及章节安排 | 第30-32页 |
| 第二章 实验技术和原理 | 第32-52页 |
| 2.1 实验仪器简介 | 第32-34页 |
| 2.2 超高真空技术 | 第34-37页 |
| 2.3 低能电子衍射(LEED) | 第37-38页 |
| 2.4 X射线光电子能谱技术 | 第38-39页 |
| 2.5 分子束外延技术(Molecular Beam Epitaxy) | 第39-42页 |
| 2.6 低温强磁场技术 | 第42-45页 |
| 2.7 扫描隧道显微技术(STM) | 第45-49页 |
| 2.7.1 STM的基本原理 | 第45-46页 |
| 2.7.2 STM的基本构造 | 第46-48页 |
| 2.7.3 扫描隧道谱(STS) | 第48-49页 |
| 2.8 STM针尖的制作与处理 | 第49-52页 |
| 第三章 单层锑烯的制备和性质研究 | 第52-64页 |
| 3.1 背景介绍 | 第52-54页 |
| 3.1.1 锑烯----新型宽带隙二维原子晶体 | 第52-53页 |
| 3.1.2 锑烯制备的探索 | 第53-54页 |
| 3.2 单层锑烯在PdTe2表面的外延生长 | 第54-56页 |
| 3.3 单层锑烯的结构表征和理论计算 | 第56-59页 |
| 3.4 单层锑烯的化学性质研究 | 第59-61页 |
| 3.5 单层锑烯电子态的测量 | 第61-62页 |
| 3.6 本章小结 | 第62-64页 |
| 第四章 PtSe_2纳米带边界自旋研究 | 第64-78页 |
| 4.1 背景介绍 | 第64-67页 |
| 4.1.1 PtSe_2---一种新型过渡金属二硫属族化合物 | 第64-66页 |
| 4.1.2 二维材料的边界自旋性质理论预言 | 第66-67页 |
| 4.2 PtSe_2纳米带的生长和结构特点 | 第67-70页 |
| 4.3 PtSe_2纳米带边界的能带结构测量 | 第70-72页 |
| 4.4 PtSe_2纳米带边界自旋结构的测量 | 第72-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 单层与双层PtSe_2的能带测量与界面研究 | 第78-90页 |
| 5.1 背景介绍 | 第78-81页 |
| 5.1.1 利用分子束外延的方法生长过渡金属二硫属化合物 | 第78-79页 |
| 5.1.2 利用低温STM探测过渡金属二硫属化合物的能带结构。 | 第79-81页 |
| 5.2 单层和双层PtSe_2在HOPG表面的生长 | 第81-84页 |
| 5.3 单层与双层PtSe_2电子态的测量 | 第84-87页 |
| 5.4 单层PtSe_2边界及单双层PtSe_2界面处电子态测量 | 第87-89页 |
| 5.5 本章小结 | 第89-90页 |
| 第六章 总结和展望 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-106页 |
| 博士阶段发表文章和申请专利 | 第106-110页 |
| 致谢 | 第110-112页 |
| 个人简历 | 第112-113页 |
