| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 相变简介 | 第9-10页 |
| 1.2 金属-绝缘体相变材料简介 | 第10-12页 |
| 1.3 VO_2材料简介 | 第12-17页 |
| 1.3.1 VO_2的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 VO_2能带结构 | 第13-14页 |
| 1.3.3 VO_2的拉曼和椭偏研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3.4 VO_2的相变机理研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 研究主要内容及意义 | 第17-19页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第17-18页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 相变光谱研究的实验方法 | 第19-35页 |
| 2.1 拉曼散射光谱 | 第19-23页 |
| 2.1.1 拉曼散射原理 | 第19-22页 |
| 2.1.2 拉曼光谱在材料研究中的应用 | 第22-23页 |
| 2.1.3 实验拉曼光谱仪简介 | 第23页 |
| 2.2 椭圆偏振光谱 | 第23-35页 |
| 2.2.1 椭偏技术的发展与优势 | 第23-25页 |
| 2.2.2 椭偏术原理 | 第25-27页 |
| 2.2.3 椭偏参数（Ψ ，Δ ）与光学常数 | 第27-30页 |
| 2.2.4 椭偏光谱分析的模型 | 第30-34页 |
| 2.2.5 椭偏光谱分析流程和拟合结果评估 | 第34-35页 |
| 第三章 不同基底温度对VO_2相变的影响 | 第35-42页 |
| 3.1 不同基底温度VO_2薄膜的拉曼光谱 | 第35-38页 |
| 3.2 不同基底温度VO_2薄膜的椭偏光谱 | 第38-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 ZnO缓冲层对VO_2相变的影响 | 第42-68页 |
| 4.1 基底偏压对VO_2薄膜相变性能的影响 | 第42-61页 |
| 4.1.1 不同偏压多层VO_2薄膜拉曼光谱 | 第43-52页 |
| 4.1.2 不同基底偏压的VO_2薄膜椭偏光谱 | 第52-61页 |
| 4.2 ZnO缓冲层厚度VO_2薄膜相变性能的影响 | 第61-67页 |
| 4.2.1 不同厚度缓冲层的VO_2薄膜拉曼光谱 | 第61-65页 |
| 4.2.2 不同厚度缓冲层VO_2薄膜椭偏光谱 | 第65-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 全文总结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75页 |