摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-25页 |
1.1 研究背景 | 第10-11页 |
1.2 半导体光催化技术概述 | 第11-23页 |
1.2.1 半导体光催化技术简介 | 第11页 |
1.2.2 半导体光催化的基本原理 | 第11-13页 |
1.2.3 影响半导体光催化剂活性的主要因素 | 第13-15页 |
1.2.4 半导体光催化材料的研究进展 | 第15-22页 |
1.2.5 光催化技术的应用 | 第22-23页 |
1.3 选题依据及研究内容 | 第23-25页 |
1.3.1 选题依据 | 第23-24页 |
1.3.2 研究内容 | 第24-25页 |
第二章 实验材料与分析方法 | 第25-35页 |
2.1 实验药品与仪器分析 | 第25-27页 |
2.1.1 主要化学试剂 | 第25-26页 |
2.1.2 主要实验仪器 | 第26-27页 |
2.2 主要分析、表征手段 | 第27-30页 |
2.2.1 X射线衍射(XRD)分析 | 第27-28页 |
2.2.2 傅里叶变换红外(FT-IR)光谱分析 | 第28页 |
2.2.3 元素分析 | 第28页 |
2.2.4 EDS分析 | 第28-29页 |
2.2.5 扫描电镜(SEM)分析 | 第29页 |
2.2.6 紫外-可见(UV-Vis)光谱分析 | 第29页 |
2.2.7 X射线光电子能谱(XPS)分析 | 第29-30页 |
2.2.8 光电流测试 | 第30页 |
2.3 光催化性能评价 | 第30-35页 |
2.3.1 以罗丹明B为模型污染物 | 第30-31页 |
2.3.2 以苯酚作为复合催化剂的光催化氧化性能评价 | 第31-32页 |
2.3.3 以Cr(Ⅵ)作为复合催化剂的光催化还原性能评价 | 第32-33页 |
2.3.4 光催化去除Cr(Ⅵ)-苯酚复合污染 | 第33页 |
2.3.5 光催化反应装置 | 第33-35页 |
第三章 以不同前驱物制备g-C_3N_4与BiVO_4的复合光催化剂及其增强的可见光性能 | 第35-54页 |
3.1 前言 | 第35页 |
3.2 BiVO_4/g-C_3N_4复合光催化剂的制备 | 第35-36页 |
3.2.1 g-C_3N_4的制备 | 第35-36页 |
3.2.2 BiVO_4的制备 | 第36页 |
3.2.3 BiVO_4/g-C_3O_4复合光催化剂的制备 | 第36页 |
3.3 结果与讨论 | 第36-52页 |
3.3.1 晶体的结构分析 | 第36-38页 |
3.3.2 催化剂的FT-IR分析 | 第38-39页 |
3.3.3 SEM分析 | 第39-41页 |
3.3.4 催化剂的EDS及元素分析 | 第41-42页 |
3.3.5 催化剂的BET分析 | 第42-43页 |
3.3.6 UV-vis光谱分析及价带分析 | 第43-44页 |
3.3.7 光催化活性评价 | 第44-50页 |
3.3.8 光电流密度测试 | 第50-51页 |
3.3.9 活性物质检测及光催化机理探讨 | 第51-52页 |
3.4 本章小结 | 第52-54页 |
第四章 不同能带可见光半导体与TiO_2复合光催化剂的 制备及其性能研究 | 第54-69页 |
4.1 前言 | 第54页 |
4.2 复合光催化剂的制备 | 第54-55页 |
4.3 结果与讨论 | 第55-67页 |
4.3.1 XRD及UV-vis分析 | 第55-59页 |
4.3.2 光催化剂氧化还原活性评价 | 第59-62页 |
4.3.3 光催化剂氧化还原性能比较 | 第62-63页 |
4.3.4 光催化剂对 Cr(Ⅵ)-苯酚复合污染的去除 | 第63-65页 |
4.3.5 光催化机理探讨 | 第65-67页 |
4.4 本章小结 | 第67-69页 |
结论与展望 | 第69-71页 |
1 结论 | 第69-70页 |
2 展望 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-83页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第83-85页 |
致谢 | 第85-86页 |
附件 | 第86页 |