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半导体异质结光催化剂的制备及其可见光催化性能研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-25页
    1.1 研究背景第10-11页
    1.2 半导体光催化技术概述第11-23页
        1.2.1 半导体光催化技术简介第11页
        1.2.2 半导体光催化的基本原理第11-13页
        1.2.3 影响半导体光催化剂活性的主要因素第13-15页
        1.2.4 半导体光催化材料的研究进展第15-22页
        1.2.5 光催化技术的应用第22-23页
    1.3 选题依据及研究内容第23-25页
        1.3.1 选题依据第23-24页
        1.3.2 研究内容第24-25页
第二章 实验材料与分析方法第25-35页
    2.1 实验药品与仪器分析第25-27页
        2.1.1 主要化学试剂第25-26页
        2.1.2 主要实验仪器第26-27页
    2.2 主要分析、表征手段第27-30页
        2.2.1 X射线衍射(XRD)分析第27-28页
        2.2.2 傅里叶变换红外(FT-IR)光谱分析第28页
        2.2.3 元素分析第28页
        2.2.4 EDS分析第28-29页
        2.2.5 扫描电镜(SEM)分析第29页
        2.2.6 紫外-可见(UV-Vis)光谱分析第29页
        2.2.7 X射线光电子能谱(XPS)分析第29-30页
        2.2.8 光电流测试第30页
    2.3 光催化性能评价第30-35页
        2.3.1 以罗丹明B为模型污染物第30-31页
        2.3.2 以苯酚作为复合催化剂的光催化氧化性能评价第31-32页
        2.3.3 以Cr(Ⅵ)作为复合催化剂的光催化还原性能评价第32-33页
        2.3.4 光催化去除Cr(Ⅵ)-苯酚复合污染第33页
        2.3.5 光催化反应装置第33-35页
第三章 以不同前驱物制备g-C_3N_4与BiVO_4的复合光催化剂及其增强的可见光性能第35-54页
    3.1 前言第35页
    3.2 BiVO_4/g-C_3N_4复合光催化剂的制备第35-36页
        3.2.1 g-C_3N_4的制备第35-36页
        3.2.2 BiVO_4的制备第36页
        3.2.3 BiVO_4/g-C_3O_4复合光催化剂的制备第36页
    3.3 结果与讨论第36-52页
        3.3.1 晶体的结构分析第36-38页
        3.3.2 催化剂的FT-IR分析第38-39页
        3.3.3 SEM分析第39-41页
        3.3.4 催化剂的EDS及元素分析第41-42页
        3.3.5 催化剂的BET分析第42-43页
        3.3.6 UV-vis光谱分析及价带分析第43-44页
        3.3.7 光催化活性评价第44-50页
        3.3.8 光电流密度测试第50-51页
        3.3.9 活性物质检测及光催化机理探讨第51-52页
    3.4 本章小结第52-54页
第四章 不同能带可见光半导体与TiO_2复合光催化剂的 制备及其性能研究第54-69页
    4.1 前言第54页
    4.2 复合光催化剂的制备第54-55页
    4.3 结果与讨论第55-67页
        4.3.1 XRD及UV-vis分析第55-59页
        4.3.2 光催化剂氧化还原活性评价第59-62页
        4.3.3 光催化剂氧化还原性能比较第62-63页
        4.3.4 光催化剂对 Cr(Ⅵ)-苯酚复合污染的去除第63-65页
        4.3.5 光催化机理探讨第65-67页
    4.4 本章小结第67-69页
结论与展望第69-71页
    1 结论第69-70页
    2 展望第70-71页
参考文献第71-83页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第83-85页
致谢第85-86页
附件第86页

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