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基于访存Trace的多通道DDR控制器建模与适配

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-13页
    1.1 研究背景与意义第9-10页
    1.2 国内外研究现状第10-11页
    1.3 论文主要内容及指标第11-12页
    1.4 论文结构第12-13页
第二章 存储控制器及DRAMSim2模型第13-27页
    2.1 存储器简介第13-18页
        2.1.1 存储器的组织结构第13-16页
        2.1.2 存储器常见状态第16-17页
        2.1.3 LPDDR2存储器第17-18页
    2.2 存储控制器第18-23页
        2.2.1 存储控制器基本原理第18-19页
        2.2.2 地址映射机制第19-20页
        2.2.3 行缓冲管理机制第20-21页
        2.2.4 命令调度策略第21-23页
    2.3 存储控制器模型DRAMSIM2第23-26页
        2.3.1 DRAMSim2仿真模型概述第23-24页
        2.3.2 DRAMSim2控制器架构分析第24-26页
    2.4 本章小结第26-27页
第三章 DRAMSim2模型误差分析第27-47页
    3.1 测试方案设计第27-37页
        3.1.1 Odroid-U3 DDR控制器介绍第27-28页
        3.1.2 Gem5模拟器与DRAMSim2的结合第28-30页
        3.1.3 Perf性能分析工具第30-31页
        3.1.4 Benchmark选择第31-34页
        3.1.5 测试方案第34-37页
    3.2 基础实验对比分析第37-42页
        3.2.1 计算密集型和访存密集型实验微架构参数对比分析第37-41页
        3.2.2 Lmbench访存延迟和带宽测试实验分析第41-42页
    3.3 误差来源分析第42-45页
        3.3.1 Gem5高层模型访存Trace流误差分析第42-43页
        3.3.2 存储控制器总线接口模块误差分析第43页
        3.3.3 存储控制器访存命令调度模块误差分析第43-44页
        3.3.4 存储控制器存储接口模块误差分析第44-45页
    3.4 本章小结第45-47页
第四章 DRAMSim2模型的适配与修正第47-59页
    4.1 总线接口模块修正第47-48页
    4.2 命令调度模块修正第48-55页
        4.2.1 地址映射机制的修正第48-50页
        4.2.2 命令调度策略建模第50-55页
    4.3 存储接口模块修正第55-57页
    4.4 本章小结第57-59页
第五章 实验验证及结果分析第59-69页
    5.1 实验环境搭建第59页
    5.2 验证及结果分析第59-64页
        5.2.1 计算密集型和访存密集型应用微架构参数对比验证第59-62页
        5.2.2 Lmbench访存延迟和带宽的验证第62-63页
        5.2.3 设计指标对比验证第63-64页
    5.3 ANDROID应用访存特性分析第64-67页
    5.4 本章小结第67-69页
第六章 总结与展望第69-71页
    6.1 总结第69页
    6.2 展望第69-71页
致谢第71-73页
参考文献第73-75页

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