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低维纳米材料性能调控的理论研究

摘要第6-8页
ABSTRACT第8-10页
第1章 理论方法简介第13-25页
    1.1 量子化学理论基础第13-16页
        1.1.1 Born-Oppenheimer近似第13-14页
        1.1.2 单电子近似第14-15页
        1.1.3 Hartree-Fock方程第15-16页
    1.2 密度泛函理论第16-21页
        1.2.1 Thomas-Fermi-Dirac模型第16-17页
        1.2.2 Hohenberg-Kohn定理第17-18页
        1.2.3 Kohn-Sham定理第18-19页
        1.2.4 交换相关能量泛函第19-20页
        1.2.5 常见的计算软件第20-21页
    1.3 NEB(Nudged Elastic Band Method)方法简介第21-23页
    参考文献第23-25页
第2章 缺陷对低维纳米材料性质的影响第25-73页
    2.1 引言第25-30页
    2.2 氮化硼纳米材料中的线缺陷第30-47页
        2.2.1 研究动机第30-34页
        2.2.2 计算模型和方法第34-37页
        2.2.3 结果与讨论第37-46页
        2.2.4 小结第46-47页
    2.3 磷稀中的线缺陷研究第47-64页
        2.3.1 研究动机第47页
        2.3.2 计算模型和方法第47-51页
        2.3.3 结果与讨论第51-63页
        2.3.4 小结第63-64页
    参考文献第64-73页
第3章 应力对低维纳米材料性质的影响第73-89页
    3.1 引言第73页
    3.2 应力对过渡金属双硫族化合物纳米材料性质的调控第73-84页
        3.2.1 研究动机第73-74页
        3.2.2 计算模型和方法第74-75页
        3.2.3 结果和讨论第75-83页
        3.2.4 小结第83-84页
    参考文献第84-89页
第4章 化学修饰对低维纳米材料的性质的影响第89-113页
    4.1 引言第89-90页
    4.2 氢吸附对g-C_3N_4层状材料的磁性调控第90-94页
        4.2.1 研究动机第90页
        4.2.2 计算模型和方法第90-91页
        4.2.3 结果与讨论第91-93页
        4.2.4 小结第93-94页
    4.3 NH_4~+环境中WS_2层状材料的相变和性质研究第94-107页
        4.3.1 研究动机第94-96页
        4.3.2 计算模型和方法第96-97页
        4.3.3 结果和讨论第97-106页
        4.3.4 小结第106-107页
    参考文献第107-113页
致谢第113-115页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第115-117页

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