| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.研究背景 | 第11-21页 |
| 1.1 二维硫族层状材料 | 第11-12页 |
| 1.2 研究二维硫属族层状材料的理论方法 | 第12-14页 |
| 1.3 研究课题的选择和目前研究现状 | 第14-19页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第14-15页 |
| 1.3.2 研究现状 | 第15-19页 |
| 1.4 研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 | 第21-27页 |
| 2.1 第一性原理 | 第21-23页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似（绝热近似） | 第22页 |
| 2.1.2 非相对论近似 | 第22-23页 |
| 2.1.3 单电子近似 | 第23页 |
| 2.1.4 轨道近似 | 第23页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第23-27页 |
| 2.2.1 Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| 2.2.2 交换相关泛函 | 第25-26页 |
| 2.2.3 VASP软件包介绍 | 第26-27页 |
| 第三章 SnSe_2体相本征掺杂的第一性原理研究 | 第27-35页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 物理模型与计算方法 | 第28-30页 |
| 3.2.1 物理模型 | 第28-29页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第29-30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-33页 |
| 3.4 结论 | 第33-35页 |
| 第四章 SnSe_2单层掺杂的第一性原理研究 | 第35-46页 |
| 4.1 引言 | 第35-36页 |
| 4.2 计算方法 | 第36页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第36-45页 |
| 4.3.1 形成能 | 第37-40页 |
| 4.3.2 电荷态下的形成能 | 第40-43页 |
| 4.3.3 电子性质 | 第43-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 SnSe_2层间掺杂的第一性原理研究 | 第46-59页 |
| 5.1 引言 | 第46-47页 |
| 5.2 模型与计算方法 | 第47-48页 |
| 5.2.1 理论模型 | 第47-48页 |
| 5.2.2 计算方法 | 第48页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第48-58页 |
| 5.3.1 1TM掺杂 | 第48-52页 |
| 5.3.2 2TM与4TM | 第52-58页 |
| 5.4 结论 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 6.1 总结 | 第59页 |
| 6.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读学位期间发表的论文及获奖情况 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |