| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-8页 |
| 1.2 忆阻器特性 | 第8-14页 |
| 1.2.1 物理器件模型 | 第9-11页 |
| 1.2.2 数学理论模型 | 第11-13页 |
| 1.2.3 软件介绍 | 第13-14页 |
| 1.3 忆阻器的应用 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 忆阻器、忆容器、忆感器基本特性 | 第16-33页 |
| 2.1 忆阻器基本特性 | 第16-18页 |
| 2.2 忆容器基本特性 | 第18-25页 |
| 2.2.1 分段线性忆容器基本特性 | 第19-23页 |
| 2.2.2 三次非线性磁控忆容模型 | 第23-25页 |
| 2.3 忆感器基本特性 | 第25-32页 |
| 2.3.1 分段线性忆感器基本特性 | 第25-28页 |
| 2.3.2 流控忆感器Biolik模型基本特性 | 第28-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 记忆元件与RLC电路串并联特性研究 | 第33-45页 |
| 3.1 忆阻器与L、C电路串并联 | 第33-38页 |
| 3.1.1 压控忆阻器与L、C电路串联 | 第33-36页 |
| 3.1.2 流控忆阻器与L、C电路并联 | 第36-38页 |
| 3.2 压控忆容器与R、L电路串联 | 第38-41页 |
| 3.3 流控忆感器与R、C并联电路 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 含记忆元件电路对外界激励信号响应研究 | 第45-61页 |
| 4.1 电路状态对周期、非周期激励信号响应研究 | 第45-48页 |
| 4.1.1 含忆阻器记忆电路 | 第45-46页 |
| 4.1.2 含忆容器记忆电路 | 第46-48页 |
| 4.2 基于记忆元件蔡氏电路对外界激励信号响应研究 | 第48-60页 |
| 4.2.1 蔡氏电路的基本特性 | 第48-50页 |
| 4.2.2 含忆阻器蔡氏电路对外界激励信号响应特性研究 | 第50-54页 |
| 4.2.3 含忆感器蔡氏电路对外界激励信号响应研究 | 第54-57页 |
| 4.2.4 含忆容器蔡氏电路对外界激励信号响应研究 | 第57-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论与展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第65-66页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
