| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第1章 前言 | 第9-19页 |
| 1.1 半导体的重要发展 | 第9-10页 |
| 1.2 GaN基LED概述 | 第10-15页 |
| 1.2.1 GaN基LED的应用 | 第10-11页 |
| 1.2.2 LED芯片制备及其结构 | 第11-14页 |
| 1.2.3 GaN基LED的发光机理 | 第14-15页 |
| 1.3 GaN基LED性能的衡量标准 | 第15-19页 |
| 1.3.1 GaN基LED的光学性能 | 第15-16页 |
| 1.3.2 GaN基LED的电学性能 | 第16-17页 |
| 1.3.3 GaN基LED的热学性能 | 第17页 |
| 1.3.4 GaN基LED的力学性能 | 第17-19页 |
| 第2章 GaN基LED的研究现状及表征手段 | 第19-29页 |
| 2.1 极性GaN基LED的研究现状 | 第19-22页 |
| 2.1.1 极性GaN基LED的基本特性 | 第19-21页 |
| 2.1.2 极性GaN基LED的性能改进 | 第21-22页 |
| 2.2 非极性GaN基LED的研究现状 | 第22-27页 |
| 2.2.1 非极性GaN基LED的发展以及优势 | 第22-25页 |
| 2.2.2 非极性GaN基LED的基本特性 | 第25-26页 |
| 2.2.3 非极性GaN基LED存在的问题及改进 | 第26-27页 |
| 2.3 表征手段所使用仪器 | 第27-29页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第27页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第27页 |
| 2.3.3 光致发光谱(PL谱) | 第27-28页 |
| 2.3.4 电致发光谱(EL谱) | 第28页 |
| 2.3.5 霍尔效应 | 第28-29页 |
| 第3章 极性GaN基LED芯片研究 | 第29-40页 |
| 3.1 极性平面衬底GaN基LED芯片光学和力学性能 | 第29-33页 |
| 3.1.1 极性平面衬底GaN基LED的制备 | 第29-30页 |
| 3.1.2 极性平面GaN基LED芯片性能 | 第30-33页 |
| 3.2 极性图形化衬底GaN基LED芯片光学和力学性能 | 第33-37页 |
| 3.2.1 极性图形化衬底GaN基LED的制备 | 第33-34页 |
| 3.2.2 极性图形化衬底GaN基LED性能研究 | 第34-37页 |
| 3.3 平面和图形化衬底GaN基LED的优化研究 | 第37-38页 |
| 3.3.1 GaN薄膜内的位错密度分析 | 第37-38页 |
| 3.3.2 GaN薄膜内的光学性能分析 | 第38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 衬底图形化研究 | 第40-49页 |
| 4.1 a面蓝宝石的刻蚀 | 第40-44页 |
| 4.2 c面蓝宝石的刻蚀 | 第44-46页 |
| 4.3 r面蓝宝石的刻蚀 | 第46-47页 |
| 4.4 (111)面Si衬底的刻蚀 | 第47-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 非极性GaN基LED芯片的研究 | 第49-59页 |
| 5.1 m面GaN基LED芯片研究 | 第49-54页 |
| 5.1.1 m面GaN基LED芯片应力研究 | 第49-50页 |
| 5.1.2 m面GaN基LED芯片发光性能研究 | 第50-53页 |
| 5.1.3 m面GaN基LED芯片电学性能研究 | 第53-54页 |
| 5.2 a面GaN基LED芯片研究 | 第54-58页 |
| 5.2.1 a面GaN基LED芯片应力研究 | 第54-55页 |
| 5.2.2 a面GaN基LED芯片发光性能研究 | 第55-57页 |
| 5.2.3 a面GaN基LED芯片电学性能研究 | 第57-58页 |
| 5.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第6章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读学位期间所开展的科研项目和发表的学术论文 | 第70页 |