首页--数理科学和化学论文--晶体学论文

Re:CNGS(Re=Nd,Er,Tm)晶体的生长以及结构性能的研究

中文摘要第8-10页
ABSTRACT第10-12页
第一章 绪论第13-26页
    1.1 前言第13-14页
    1.2 常用压电晶体的介绍第14-16页
    1.3 硅酸镓镧系列晶体简介第16-18页
    1.4 CNGS晶体及其同构型晶体的研究进展以及存在的问题第18-20页
    1.5 本论文的研究目的及内容第20-22页
    参考文献第22-26页
第二章 Re:CNGS (Re= Nd,Er, Tm)晶体的生长第26-39页
    2.1 引言第26页
    2.2 生长方法与原理第26-31页
        2.2.1 提拉法简介第26-27页
        2.2.2 原料的准备第27-28页
        2.2.3 晶体生长过程第28-31页
    2.3 成果与改进第31-32页
    2.4 缺陷分析第32-35页
        2.4.1 开裂第32-34页
        2.4.2 包裹体第34-35页
    2.5 温场改进第35-36页
    2.6 晶体后处理第36-37页
    2.7 本章小结第37-38页
    参考文献第38-39页
第三章 Re: CNGS晶体的结构与基本性能表征第39-49页
    3.1 组分与结构分析第39-41页
        3.1.1 X射线荧光光谱第39-40页
        3.1.2 X射线粉末衍射第40-41页
    3.2 晶体的热学性质第41-46页
        3.2.1 热膨胀第42-43页
        3.2.2 比热第43-44页
        3.2.3 热扩散第44-45页
        3.2.4 热传导第45-46页
    3.3 本章小结第46-48页
    参考文献第48-49页
第四章 Re:CNGS电弹性能的表征第49-59页
    4.1 常温下压电性能测试和分析第49-52页
    4.2 高温压电性能测试和分析第52-53页
    4.3 Re:CNGS温度稳定性研究第53-56页
        4.3.1 切型计算第53-55页
        4.3.2 频率的温度稳定性第55页
        4.3.3 (Yxl)-30°切型介电、机电性能的温度稳定性第55-56页
    4.4 本章小结第56-58页
    参考文献第58-59页
第五章 晶体电子结构的研究第59-69页
    5.1 化学元素组成分析第59-60页
    5.2 电子结构研究第60-62页
    5.3 第一性原理计算第62-65页
    5.4 本章小结第65-67页
    参考文献第67-69页
第六章 结论第69-72页
    6.1 主要工作内容第69-71页
    6.2 主要的创新点第71页
    6.3 有待进一步开展的工作第71-72页
致谢第72-74页
攻读学位期间发表的学术论文和参加科研情况第74-75页
攻读硕士学位期间获得的奖励第75-76页
附件第76-86页
学位论文评阅及答辩情况表第86页

论文共86页,点击 下载论文
上一篇:g-C3N4/SnO2和Pt掺杂SnO2复合材料的制备及气敏研究
下一篇:四苯基溴化膦体块单晶、光纤单晶生长及受激拉曼散射性能研究