| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 半导体光催化技术简介 | 第12-14页 |
| 1.2 增强光催化性能的途径 | 第14-17页 |
| 1.2.1 能带工程 | 第14-15页 |
| 1.2.2 形貌控制 | 第15-16页 |
| 1.2.3 半导体复合 | 第16-17页 |
| 1.3 半导体复合光催化剂的设计 | 第17-19页 |
| 1.3.1 贵金属负载 | 第17-18页 |
| 1.3.2 半导体能带匹配 | 第18-19页 |
| 1.3.3 助催化剂修饰 | 第19页 |
| 1.4 卤化银基半导体光催化剂简介 | 第19-21页 |
| 1.5 本文研究的意义、内容和创新点 | 第21-24页 |
| 1.5.1 研究意义与内容 | 第21-23页 |
| 1.5.2 本文创新点 | 第23-24页 |
| 第二章 实验研究方法 | 第24-29页 |
| 2.1 实验试剂与设备 | 第24-25页 |
| 2.2 结构表征与性能测试 | 第25-29页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析(XRD) | 第25页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第25-26页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第26页 |
| 2.3.4 激光拉曼光谱仪(Raman) | 第26-27页 |
| 2.3.5 光催化性能评价系统 | 第27-29页 |
| 第三章 p-CuO/n-AgBr复合光催化剂:空穴转移机制 | 第29-45页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 实验部分 | 第29-30页 |
| 3.2.1 CuO/AgBr的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.2 样品表征方法 | 第30页 |
| 3.2.3 光催化性能评价 | 第30页 |
| 3.3 表征、性能与稳定性研究 | 第30-37页 |
| 3.3.1 结构与形貌表征 | 第30-34页 |
| 3.3.2 性能与稳定性研究 | 第34-37页 |
| 3.4 光催化机制探讨 | 第37-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 超薄MoS_2/Ag/AgBr复合光催化剂:电子转移机制 | 第45-58页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 实验部分 | 第46-48页 |
| 4.2.1 超薄MoS_2/Ag/AgBr的制备 | 第46-47页 |
| 4.2.2 样品表征方法 | 第47页 |
| 4.2.3 光催化性能测试 | 第47-48页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第48-57页 |
| 4.3.1 MoS_2层数的确定 | 第48-51页 |
| 4.3.2 相结构与微观形貌 | 第51-53页 |
| 4.3.3 紫外-可见吸收光谱 | 第53-54页 |
| 4.3.4 光催化性能表征 | 第54-55页 |
| 4.3.5 光催化机制探讨 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表及科研情况 | 第70页 |