| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 引言 | 第11-41页 |
| ·石墨烯 | 第12-22页 |
| ·石墨烯的结构 | 第12-13页 |
| ·墨烯的性质 | 第13-15页 |
| ·石墨烯的制备方法 | 第15-20页 |
| ·石墨烯的应用 | 第20-22页 |
| ·二硫化钼简介 | 第22-39页 |
| ·过渡族金属二硫化物简介 | 第22-25页 |
| ·TMDCs中载流子传输机制 | 第25-27页 |
| ·二硫化钼的结构 | 第27-29页 |
| ·TMDCs的制备方法 | 第29-35页 |
| ·TMDCs的应用 | 第35-39页 |
| ·课题的提出及主要研究内容 | 第39-41页 |
| ·课题的提出 | 第39-40页 |
| ·主要研究内容 | 第40-41页 |
| 2 实验材料设备及表征技术 | 第41-47页 |
| ·实验材料设备 | 第41-45页 |
| ·实验材料 | 第41页 |
| ·实验设备 | 第41-42页 |
| ·实验所用的CVD设备 | 第42-45页 |
| ·二维材料的表征手段 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 3 石墨烯的CVD法制备 | 第47-67页 |
| ·实验部分 | 第47-49页 |
| ·石墨烯的CVD制备流程 | 第47-48页 |
| ·石墨烯的转移方法 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-64页 |
| ·石墨烯的表面形貌分析 | 第49-51页 |
| ·石墨烯的拉曼光谱分析 | 第51-52页 |
| ·衬底对石墨烯生长的影响 | 第52-56页 |
| ·气源对石墨烯生长的影响 | 第56-64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 4 二硫化钼的CVD法制备 | 第67-85页 |
| ·实验部分 | 第67-69页 |
| ·二硫化钼的CVD制备流程 | 第67-68页 |
| ·转移流程 | 第68-69页 |
| ·结果与讨论 | 第69-76页 |
| ·MoS_2的表征 | 第69-72页 |
| ·生长条件对CVD制备二硫化钼的影响 | 第72-76页 |
| ·二硫化钼/石墨烯异质结的CVD法制备 | 第76-83页 |
| ·二硫化钼/石墨烯异质结简介 | 第76-77页 |
| ·实验部分 | 第77页 |
| ·结果与讨论 | 第77-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 5 二维材料异质结光学反射率的研究 | 第85-101页 |
| ·石墨烯和六方氮化硼在二氧化硅/硅衬底上的对比度 | 第85-89页 |
| ·几种TMDCs材料在二氧化硅/硅衬底上的对比度 | 第89-95页 |
| ·TMDCs/石墨烯异质结在二氧化硅/硅衬底上的对比度 | 第95-98页 |
| ·本章小结 | 第98-101页 |
| 6 结论 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-113页 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第113-117页 |
| 学位论文数据集 | 第117页 |