| 中文摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·磁电阻效应 | 第10-12页 |
| ·正常磁电阻效应（OMR） | 第10页 |
| ·各向异性磁电阻效应（AMR） | 第10-11页 |
| ·巨磁电阻效应（GMR） | 第11页 |
| ·隧道磁电阻效应（TMR） | 第11-12页 |
| ·各向异性磁电阻的研究意义 | 第12-13页 |
| ·国内外研究现状 | 第13-14页 |
| ·研究目的和主要研究内容 | 第14-16页 |
| ·研究目的 | 第14页 |
| ·主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 薄膜材料的制备与分析测试方法 | 第16-28页 |
| ·薄膜材料的制备 | 第16-22页 |
| ·溅射镀膜 | 第16页 |
| ·磁控溅射 | 第16-20页 |
| ·直流(DC)磁控溅射 | 第17页 |
| ·射频(RF)磁控溅射 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射系统介绍 | 第18-20页 |
| ·薄膜制备过程 | 第20-22页 |
| ·基片的洗涤 | 第20-21页 |
| ·装靶 | 第21页 |
| ·计算溅射速率（定标） | 第21-22页 |
| ·镀膜 | 第22页 |
| ·薄膜材料的分析测试方法 | 第22-25页 |
| ·各向异性磁电阻的测量 | 第22-24页 |
| ·X 射线衍射(XRD)测试 | 第24-25页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第25页 |
| ·实验设计方案 | 第25-28页 |
| 第三章 坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的研究 | 第28-46页 |
| ·NiO 插层对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第28-35页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验 | 第28-29页 |
| ·NiO 插层厚度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第29-30页 |
| ·基片温度对插入 NiO 层的坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第30-32页 |
| ·基片温度对插入 NiO 层的坡莫合金薄膜结构的影响 | 第32-34页 |
| ·结论 | 第34-35页 |
| ·NiFeNb 缓冲层和 NiO 插层对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第35-46页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·实验方法 | 第35-36页 |
| ·缓冲层(Ni81Fe19)1-xNbx中 Nb 原子的百分含量 x 对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第36-37页 |
| ·缓冲层厚度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第37-38页 |
| ·NiO 层厚度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第38-40页 |
| ·基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第40-42页 |
| ·基片温度对坡莫合金薄膜磁滞回线的影响 | 第42-43页 |
| ·基片温度对薄膜结构的影响 | 第43-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 第四章 总结 | 第46-48页 |
| ·本论文已完成的工作 | 第46-47页 |
| ·今后工作的建议 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
