| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-17页 |
| ·研究背景 | 第12-14页 |
| ·论文主要研究内容 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-17页 |
| 第二章 非挥发性快闪存储器概述 | 第17-41页 |
| ·快闪存储器的发展历程 | 第17页 |
| ·浮栅型快闪存储器单元结构 | 第17-18页 |
| ·快闪存储器工作方式 | 第18-20页 |
| ·编程操作 | 第18-19页 |
| ·擦除操作 | 第19页 |
| ·读出操作 | 第19-20页 |
| ·快闪存储器的阵列结构 | 第20-23页 |
| ·NAND型架构 | 第21页 |
| ·NOR型阵列架构 | 第21-22页 |
| ·NAND和NOR阵列读出操作 | 第22-23页 |
| ·NOR和NAND架构存储器性能比较 | 第23页 |
| ·浮栅型存储器发展面临的问题 | 第23-25页 |
| ·电荷俘获型存储器 | 第25-29页 |
| ·SONOS存储器 | 第25-26页 |
| ·NROM存储器 | 第26-28页 |
| ·SONOS存储器发展面临的问题 | 第28-29页 |
| ·其他新型的非挥发存储器 | 第29-36页 |
| ·BE(Bandgap engineered)-SONOS存储器 | 第29-31页 |
| ·纳米晶存储器(Nanocystal memory,NCM) | 第31-32页 |
| ·TANOS(TaN/Al_2O_3/Si_3N_4/SiO_2)存储器 | 第32-33页 |
| ·FinFET存储器 | 第33-34页 |
| ·阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM) | 第34-35页 |
| ·相变存储器(Phase Change Memory,PCM) | 第35-36页 |
| ·非挥发性存储器性能比较和将来发展的趋势 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第三章 SONOS存储器物理机制及表征技术 | 第41-76页 |
| ·编程和擦除机制 | 第41-51页 |
| ·隧穿机制 | 第41-44页 |
| ·沟道热电子注入(Channel Hot Electron Injection,CHEI) | 第44-47页 |
| ·带-带隧穿(Band-to-Band Tunneling,BTBT) | 第47-49页 |
| ·衬底偏置辅助的热电子注入(Substrate-bias Assisted Hot-Electron Injection,SAHEI) | 第49-51页 |
| ·电荷保持机制 | 第51-60页 |
| ·传统型SONOS存储器的保持模型 | 第52-55页 |
| ·局部俘获型SONOS存储器的保持模型 | 第55-60页 |
| ·电荷分布和界面态表征技术 | 第60-71页 |
| ·电荷泵(Charge Pumping,CP)电流技术 | 第60-65页 |
| ·亚阈值斜率(Subthreshold Slope,SS)表征技术 | 第65-67页 |
| ·正、反向读阈值电压表征技术 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第四章 STI对4-bit SONOS存储器编程特性影响 | 第76-102页 |
| ·STI对MOSFET器件性能影响 | 第76-80页 |
| ·STI对SONOS器件编程性能影响 | 第80-95页 |
| ·单管级直流编程 | 第82-83页 |
| ·阵列级交流编程 | 第83-86页 |
| ·TCAD工艺仿真 | 第86-88页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第88-90页 |
| ·解决方案 | 第90-95页 |
| ·STI对编程串扰(Program disturb)的影响 | 第95-98页 |
| ·编程串扰实验结果 | 第96页 |
| ·分析与讨论 | 第96-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第五章 高密度SONOS存储器多值存储技术 | 第102-128页 |
| ·多值/多位单元存储技术 | 第102-105页 |
| ·改进的CHEI多值单元编程技术 | 第105-115页 |
| ·二次热电子注入效应 | 第105-106页 |
| ·衬底正偏压的CHEI编程 | 第106-107页 |
| ·电荷横向分布表征 | 第107-111页 |
| ·耐受力和保持特性 | 第111-115页 |
| ·高密度8值单元存储技术 | 第115-124页 |
| ·本章小结 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-128页 |
| 第六章 4-bit SONOS存储器保持特性研究 | 第128-159页 |
| ·两种对立的保持模型 | 第128-139页 |
| ·纵向保持模型 | 第128-134页 |
| ·横向保持模型 | 第134-139页 |
| ·NROM器件保持特性研究 | 第139-154页 |
| ·研究方案 | 第139-141页 |
| ·电荷横向分布对保持特性的影响 | 第141-152页 |
| ·界面态对保持特性的影响 | 第152-154页 |
| ·NROM器件数据保持模型 | 第154-155页 |
| ·本章小结 | 第155-157页 |
| 参考文献 | 第157-159页 |
| 第七章 结论与展望 | 第159-163页 |
| ·结论 | 第159-161页 |
| ·展望 | 第161-163页 |
| 致谢 | 第163-164页 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果 | 第164-166页 |
