一种工作在亚阈值条件下的低功耗九管SRAM单元的设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·课题来源、研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·SRAM简介 | 第9-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·国外研究现状 | 第11-13页 |
| ·国内研究现状 | 第13页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第13-14页 |
| ·本论文的组织结构 | 第14页 |
| ·本章小结 | 第14-16页 |
| 第2章 SRAM基本单元架构及分析 | 第16-26页 |
| ·传统六管SRAM存储单元 | 第16-20页 |
| ·单管SRAM存储单元 | 第20-22页 |
| ·八管SRAM存储单元 | 第22-24页 |
| ·本论文提出的九管SRAM存储单元 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 低功耗亚阈值SRAM的设计方法及关键技术 | 第26-33页 |
| ·SRAM功耗简介 | 第26-28页 |
| ·工作在亚阈值条件下的SRAM单元稳定性问题 | 第28-31页 |
| ·工艺偏差对稳定性的影响分析 | 第28-29页 |
| ·电源电压对稳定性的影响分析 | 第29-30页 |
| ·温度变化对稳定性的影响分析 | 第30-31页 |
| ·降低SRAM功耗所采用的关键技术 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 本论文设计的亚阈值低功耗SRAM基本单元 | 第33-60页 |
| ·基本结构与工作原理 | 第33-37页 |
| ·基本结构 | 第34页 |
| ·工作原理 | 第34-36页 |
| ·优缺点 | 第36-37页 |
| ·稳定性仿真 | 第37-41页 |
| ·保持噪声容限仿真 | 第38-39页 |
| ·读噪声容限仿真 | 第39-40页 |
| ·写噪声容限仿真 | 第40-41页 |
| ·读写速度仿真 | 第41-45页 |
| ·读操作速度仿真 | 第42-43页 |
| ·写操作速度仿真 | 第43-45页 |
| ·静态功耗仿真 | 第45-46页 |
| ·动态功耗仿真 | 第46-50页 |
| ·本论文设计的9管单元与传统6管单元的比较 | 第50-59页 |
| ·保持操作仿真 | 第50-52页 |
| ·读操作仿真 | 第52-55页 |
| ·写操作仿真 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 总结与展望 | 第60-62页 |
| ·设计总结 | 第60-61页 |
| ·工作展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附图表 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及专利情况 | 第71页 |
