| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| §1.1 国内外研究概况 | 第9页 |
| §1.2 论文内容安排 | 第9-10页 |
| 第二章 GaAs/Al_xGa_(1-x)As三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应 | 第10-21页 |
| §2.1 理论模型 | 第10-13页 |
| §2.2 物理参数的压力影响 | 第13-14页 |
| §2.2.1 禁带宽度的压力影响 | 第13页 |
| §2.2.2 电子有效质量的压力影响 | 第13页 |
| §2.2.3 介电常数的压力影响 | 第13页 |
| §2.2.4 晶格振动频率的压力影响 | 第13-14页 |
| §2.3 数值计算与结果讨论 | 第14-20页 |
| §2.4 结论 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 致谢 | 第25-26页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第26页 |