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过渡金属掺杂Si_n团簇的第一性原理研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 绪论第9-17页
   ·团簇概述及其研究意义第9-11页
   ·团簇的幻数和分类第11-12页
   ·团簇基态结构和尺寸效应第12-13页
   ·团簇的磁性第13-14页
   ·本论文工作的内容和意义第14-15页
 参考文献第15-17页
第二章 密度泛函理论及计算方法第17-25页
   ·引言第17页
   ·密度泛函理论第17-22页
     ·Thomas-Fermi 模型第17-18页
     ·Kohn-Sham 方程第18-20页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第20-21页
     ·自洽计算第21页
     ·广义梯度近似(GGA)第21-22页
   ·Dmol~3 软件包第22页
 参考文献第22-25页
第三章 TbSi_n(n=2-13)团簇的结构、电子及磁学性质第25-39页
   ·引言第25-26页
   ·计算方法第26页
   ·计算结果与讨论第26-37页
     ·团簇的几何结构第27-30页
     ·团簇的稳定性第30-32页
     ·团簇的电荷分布和转移第32-35页
     ·团簇的磁性第35-37页
   ·本章小结第37页
 参考文献第37-39页
第四章 MSi_n(M=Y、Pd、La、Yb、Lu)团簇的几何结构及电子性质第39-55页
   ·研究背景第39-40页
   ·计算方法第40-41页
   ·计算结果与讨论第41-52页
     ·TMSi_n 团簇的结构第41-45页
     ·TMSi_n 团簇的稳定性第45-47页
     ·TMSi_n 团簇的电荷分布和性质第47-51页
     ·团簇的磁学性质第51-52页
   ·本章小结第52页
 参考文献第52-55页
攻读学位期间发表的学术论文第55-56页
致谢第56-57页
个人简历第57-58页

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